Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGD5NB120SZT4 Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А STMicroelectronics IGBT
1200 5 100 2 690 170 12100 1130 2.59 9 75 Нет -55 ... -150 D-PAK
IXGR24N60C IGBT-транзистор, 600 В, 42А IXYS IGBT
600 22 110 2.1 15 12 130 110 0.15 0.6 80 Нет -40 ... 150 ISOPLUS247
STGB10NB60S 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.25 700 460 - 1200 0.6 5 80 Нет -55 ... 150 D2-PAK
STGP10NB60S 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.25 700 460 - 1200 0.6 5 80 Нет -55 ... 150 TO-220
STGP10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 TO-220
STGD10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D-PAK
STGB10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D2-PAK
IXGP7N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 14 А серии Lightspeed IXYS IGBT
600 7 90 1.8 10 15 200 250 0.15 0.6 80 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGA7N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 14 А серии Lightspeed IXYS IGBT
600 7 90 1.8 10 15 200 250 0.15 0.6 80 Да -55 ... 150 TO-263
STGP14NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 22.5 8.5 116 75 82 155 80 Да -55 ... -150 TO-220
STGP7NC60HD N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 80 Да -55 ... -150 TO-220
STGB14NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 22.5 8.5 116 75 82 155 80 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGD14NC60K 600 В, 14 А, IGBT-транзистор семейcтва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 22.5 8.5 116 75 82 155 80 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGB7NC60HD N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 80 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGB14NC60K 600 В, 14 А, IGBT-транзистор семейcтва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 22.5 8.5 116 75 82 155 80 Нет -55 ... -150 D2-PAK
STGP7NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 80 Нет -65 ... -150 TO-220
NGTB40N60FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 600 В, 40 А ON Semiconductor IGBT
600 40 100 2 84 40 177 70 0.97 0.44 83 Да -55 ... 175 TO-247
IXA12IF1200PB IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-220
IXA12IF1200PC IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-263
IXA12IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019