Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IKA08N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 6.8 100 1.65 11 5 115 15 0.07 0.03 31.2 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKA08N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 6.8 100 1.6 10 5 116 20 0.07 0.02 31.2 Да -40 ... 175 TO-220FP
STGP10NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.7 0.7 0.46 - 1200 0.6 5 31.5 Да -65 ... -150 TO-220
IXGH2N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А IXYS IGBT
2500 2 110 2.6 26 89 74 204 - - 32 Нет -55 ... 150 TO-247
STGF19NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 2.75 30 8 105 85 165 255 32 Да -55 ... -150 TO-220FP
IXBH2N250 Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 2А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
2500 2 110 3.15 30 280 74 178 - - 32 Да -55 ... 150 TO-247
IXBT2N250 Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 2А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
2500 2 110 3.15 30 280 74 178 - - 32 Да -55 ... 150 TO-268
STGF19NC60HD Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
600 10 100 2.5 25 7 97 73 85 189 32 Да -55 ... -150 TO-220FP
IXGT2N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А IXYS IGBT
2500 2 110 2.6 26 89 74 204 - - 32 Нет -55 ... 150 TO-268
STGF14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.1 - - - - - - 33 Да -40 ... -175 TO-220FP
IKA15N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 14 25 1.65 17 7 160 10 0.12 0.05 33.3 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKA15N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 14 25 1.6 17 7 150 16 0.13 0.04 33.3 Да -40 ... 175 TO-220FP
STGD3HF60HD 4.5 А, 600 В высокоскоростной IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом STMicroelectronics IGBT
600 4.5 100 2.95 11 4 60 50 19 12 38 Да -55 ... 150 DPAK-3
STGF100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
330 10 100 2.6 - - 135 57 - - 40 Нет -55 ... 150 TO-220FP
STGF30NC60S Скоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
600 11 100 1.9 21.5 8.5 180 200 300 1275 40 Нет -55 ... -150 TO-220FP
IXGA4N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 8А IXYS IGBT
1000 4 90 2.2 20 25 700 520 0.16 2 40 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGP4N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 8А IXYS IGBT
1000 4 90 2.2 20 25 700 520 0.16 2 40 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXA4IF1200UC IGBT-транзистор, 1200 В, 5 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 5 100 1.8 70 40 250 100 0.4 0.3 45 Да -55 ... 150 TO-252
STGD3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 3 100 1.5 125000 150000 - 720 1100 1.15 48 Да -55 ... -150 D-PAK
STGDL6NC60DI Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 5 100 2.9 6.7 3.7 46 47 32 24 50 Да -55 ... -150 D-PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019