Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGDL6NC60D Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 5 100 2.9 6.7 3.7 46 47 46.5 23.5 50 Да -55 ... -150 D-PAK
IXGR6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 5.5А, технология NPT IXYS IGBT
1700 2.5 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 50 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGP7N60C IGBT-транзистор, 600 В, 14 А серии Lightspeed IXYS IGBT
600 7 90 2 10 15 120 85 0.07 0.22 54 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGA7N60C IGBT-транзистор, 600 В, 14 А серии Lightspeed IXYS IGBT
600 7 90 2 10 15 120 85 0.07 0.22 54 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGP7N60B IGBT-транзистор, 600 В, 14 А IXYS IGBT
600 7 90 1.8 10 15 200 250 0.15 0.6 54 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGA7N60B IGBT-транзистор, 600 В, 14 А IXYS IGBT
600 7 90 1.8 10 15 200 250 0.15 0.6 54 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA8N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 16А IXYS IGBT
1000 8 90 2.2 15 30 800 630 0.5 3.7 54 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGP8N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 16А IXYS IGBT
1000 8 90 2.2 15 30 800 630 0.5 3.7 54 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGR12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 15 А IXYS IGBT
600 8 90 2.7 20 20 85 85 0.15 0.27 55 Нет -40 ... 150 ISOPLUS247
STGD7NB60S N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 7 100 1.6 700 460 - 1200 0.4 3.5 55 Нет -65 ... -150 D-PAK
STGD7NB120S-1 N-канальный IGBT-транзистор на 1200 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
1200 7 100 2.1 570 270 - 3300 3.2 15 55 Нет -65 ... -150 I-PAK
STGD6NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGPL6NC60DI Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 6 100 2.9 6.7 3.7 46 47 32 24 56 Да -55 ... -150 TO-220
STGBL6NC60DI Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 6 100 2.9 6.7 3.7 46 47 32 24 56 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGPL6NC60D Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 6 100 2.9 6.7 3.7 46 47 46.5 23.5 56 Да -55 ... -150 TO-220
STGBL6NC60D Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 6 100 2.9 6.7 3.7 46 47 46.5 23.5 56 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGP6NC60HD N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Да -55 ... -150 TO-220
STGB6NC60HD-1 N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Да -55 ... -150 I2PAK
STGB6NC60HD N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGD6NC60HD N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Да -55 ... -150 D-PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019