Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGT6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 3 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 75 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 3 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 75 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGR6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 5.5А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 2.5 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 50 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXBH40N160 Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 33А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 20 90 6.2 200 60 270 40 - - 350 Да -55 ... 150 TO-247
IXBF40N160 Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 28А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 16 90 6.2 200 60 300 40 - - 250 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXBT16N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 10 90 6 15 28 220 150 2 2.6 150 Да -55 ... 150 TO-268
IXBH16N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 10 90 6 15 28 220 150 2 2.6 150 Да -55 ... 150 TO-247
IXBK75N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 65А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 65 90 4.95 27 38 420 175 - 6.35 1040 Да -55 ... 150 TO-264
IXBX75N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 65А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 65 90 4.95 27 38 420 175 - 6.35 1040 Да -55 ... 150 PLUS247
IXBN75N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 42 90 4.95 27 38 420 175 - 6.35 625 Да -55 ... 150 TO-247
IXBH9N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 9А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 5 90 4.9 140 200 120 70 - - 100 Да -55 ... 150 TO-247
IXBF9N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 4 90 4.9 140 200 120 70 - - 70 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXBP5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 3.5 90 4.9 140 200 120 70 - - 68 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXBH5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 3.5 90 4.9 140 200 120 70 - - 68 Да -55 ... 150 TO-247
IXBT28N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 30А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 14 90 4.7 35 36 290 150 0.7 2.3 300 Да -55 ... 150 TO-268
IXBH28N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 30А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 14 90 4.7 35 36 290 150 0.7 2.3 300 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGT2N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 4А IXYS IGBT
 2500 4 110 4.6 - - 385 86 - 0.8 150 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH2N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 4А IXYS IGBT
 2500 4 110 4.6 - - 385 86 - 0.8 150 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH24N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 16 90 4.5 23 31 360 96 3.6 1.47 250 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGT24N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 16 90 4.5 23 31 360 96 3.6 1.47 250 Нет -55 ... 150 TO-268
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники