Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXGY2N120 | IGBT-транзистор, 1200 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 2 | 90 | 3.8 | 15 | 30 | 500000 | 500 | - | 1.2 | 25 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGP35N35LZ | IGBT-транзистор на 345 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
345 | 30 | 100 | 1.3 | 1100 | 700 | 26500 | 5500 | - | - | 176 | Нет | -55 ... 175 |
TO-220 |
| STGB35N35LZ | IGBT-транзистор на 345 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
345 | 30 | 100 | 1.3 | 1100 | 700 | 26500 | 5500 | - | - | 176 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| STGP18N40LZ | IGBT-транзистор на 390 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
390 | 30 | 100 | 1.3 | 650 | 3500 | 13500 | 5500 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 175 |
TO-220 |
| STGD18N40LZ | IGBT-транзистор на 390 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
390 | 25 | 100 | 1.3 | 650 | 3500 | 13500 | 5500 | - | - | 125 | Нет | -55 ... 175 |
D-PAK |
| STGB18N40LZ | IGBT-транзистор на 390 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
390 | 30 | 100 | 1.3 | 650 | 3500 | 13500 | 5500 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| STGD5NB120SZ-1 | Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
1200 | 5 | 100 | 2 | 690 | 170 | 12100 | 1130 | 2.59 | 9 | 75 | Нет | -55 ... -150 |
|
| STGB20NB41LZ | IGBT-транзистор на 410 В, 20 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
412 | 20 | 100 | 1.3 | 1000 | 220 | 12100 | 1600 | 5 | 12.9 | 200 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| STGD5NB120SZT4 | Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
1200 | 5 | 100 | 2 | 690 | 170 | 12100 | 1130 | 2.59 | 9 | 75 | Нет | -55 ... -150 |
D-PAK |
| STGB10NB40LZ | IGBT-транзистор на 410 В, 20 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.2 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 150 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| STGP10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.3 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 125 | Нет | -65 ... 175 |
TO-220 |
| STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.3 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 125 | Нет | -65 ... 175 |
D2-PAK |
| T2400GB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 2400 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 2400 | - | 2.8 | 1700 | 3800 | 6000 | 1900 | 15000 | 14000 | 19000 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
| T1600GB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1600 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 1600 | - | 2.75 | 2200 | 4400 | 5100 | 2300 | 14000 | 8700 | 12800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
| T0258HF65G | Press-Pack IGBT транзистор |
|
IXYS |
IGBT |
6500 | 258 | 25 | 3.6 | 1700 | 3500 | 5000 | 2200 | 1800 | 1450 | 3000 | Да | -40 ... 125 | - |
| T0900DF65A | Press-Pack IGBT транзистор |
|
IXYS |
IGBT |
6500 | 900 | 25 | 3.6 | 1600 | 3100 | 4500 | 2300 | 6500 | 5300 | 10600 | Да | -40 ... 125 | - |
| T0800TB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 800 | - | 2.8 | 2000 | 4000 | 4500 | 2100 | 7000 | 4300 | 6400 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T1800GB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1800 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 1800 | - | 2.8 | 1600 | 3300 | 4000 | 2000 | 12600 | 9500 | 13700 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
| STGB3NB60SD | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 3 | 100 | 1.5 | 125 | 150 | 3400 | 720 | 1100 | 1.15 | 70 | Да | -60 ... -175 |
D2-PAK |
| STGE200NB60S | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 150 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 150 | 100 | 1.6 | 64 | 112 | 2400 | 1230 | 11.7 | 59 | 600 | Нет | -55 ... -150 |
|
