Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXA12IF1200TC IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-268
STGP14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 14 - 2.1 - - - - - - 95 Да -40 ... -175 TO-220
IXGH12N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.5 0.8 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGP12N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.5 0.27 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.5 0.27 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGP12N60B IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.15 0.8 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N60B IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.15 0.8 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXBF12N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 12 90 2.8 65 395 175 530 - - 100 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
MMIX4B12N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 12 90 2.8 65 395 175 530 - - 100 Да -55 ... 150 SMD
IXGH12N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.5 0.27 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGP12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.15 0.27 100 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.15 0.27 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXBH9N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 9А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 5 90 4.9 140 200 120 70 - - 100 Да -55 ... 150 TO-247
IXSH16N60U1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 16А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 16 90 1.8 30 30 150 510 0.12 3 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGR50N90B2D1 IGBT-транзистор, 900 В, 40А IXYS IGBT
 900 19 110 2.2 20 28 400 420 1.5 8.7 100 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGX12N90C IGBT-транзистор, 900 В, 24А IXYS IGBT
 900 12 90 3 20 20 200 150 0.15 0.7 100 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGH12N90C IGBT-транзистор, 900 В, 24А IXYS IGBT
 900 12 90 3 20 20 200 150 0.15 0.7 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGA12N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 900 950 1.1 4 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXSP10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 10 110 2.5 30 30 260 270 0.32 0.79 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 6 100 Нет -55 ... 150 TO-263
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники