Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
T0258HF65G Press-Pack IGBT транзистор IXYS IGBT
6500 258 25 3.6 1700 3500 5000 2200 1800 1450 3000 Да -40 ... 125 -
T0900DF65A Press-Pack IGBT транзистор IXYS IGBT
6500 900 25 3.6 1600 3100 4500 2300 6500 5300 10600 Да -40 ... 125 -
STGD10NC60HD Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.7 14.2 5 72 85 31.8 95 62 Да -55 ... 150 D-PAK
STGD10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 62 Да -55 ... 150 D-PAK
STGD7NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 70 Нет -65 ... -150 D-PAK
STGD10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D-PAK
STGD10NC60SD Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.65 19 4 160 205 50 290 60 Да -55 ... -150 D-PAK
STGDL6NC60DI Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 5 100 2.9 6.7 3.7 46 47 32 24 50 Да -55 ... -150 D-PAK
STGD8NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 8 100 2.75 17 6 72 82 55 85 62 Да -55 ... -150 D-PAK
STGD14NC60K 600 В, 14 А, IGBT-транзистор семейcтва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 22.5 8.5 116 75 82 155 80 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGD3HF60WD Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 3 А STMicroelectronics IGBT
600 - 100 1.8 - - - - - - - Да -55 ... -150 D-PAK
STGD3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 3 100 1.5 125000 150000 - 720 1100 1.15 48 Да -55 ... -150 D-PAK
STGD10NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 10 100 2.5 14.2 5 72 85 31.8 95 60 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGD18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
390 25 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 125 Нет -55 ... 175 D-PAK
I-PAK
STGD10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 D-PAK
STGD6NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGDL6NC60D Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 5 100 2.9 6.7 3.7 46 47 46.5 23.5 50 Да -55 ... -150 D-PAK
STGD5NB120SZT4 Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А STMicroelectronics IGBT
1200 5 100 2 690 170 12100 1130 2.59 9 75 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGD10NC60HD Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
600 10 - 2.5 - - - - - - 62 Да -55 ... -150 D-PAK
STGD6NC60HD N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Да -55 ... -150 D-PAK
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019