Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXGH120N30B3 | IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 10...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
300 | 120 | 110 | 1.42 | 21 | 30 | 106 | 250 | - | - | 540 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBH20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 20 | 110 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGH2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 2.6 | 26 | 89 | 74 | 204 | - | - | 32 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH20N100A3 | IGBT-транзистор, 1000 В, 20А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 20 | 90 | 2.1 | 37 | 125 | 80 | 1550 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGN320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 170 | 110 | 1.05 | 62 | 77 | 330 | 1540 | - | - | 735 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH100N30B3 | IGBT-транзистор, 300 В, 100 А, частота коммутации 10...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
300 | 100 | 110 | 1.35 | 24 | 61 | 124 | 148 | - | - | 460 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBF32N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 22А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 22 | 90 | 2.8 | 58 | 515 | 165 | 630 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGP20N100A3 | IGBT-транзистор, 1000 В, 20А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 20 | 90 | 2.1 | 37 | 125 | 80 | 1550 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
| STGD3HF60WD | Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 3 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | - | 100 | 1.8 | - | - | - | - | - | - | - | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
| IXGX320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 210 | 110 | 1.05 | 62 | 67 | 330 | 1540 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBT12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGA20N100A3 | IGBT-транзистор, 1000 В, 20А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 20 | 90 | 2.1 | 37 | 125 | 80 | 1550 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGK320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 210 | 110 | 1.05 | 62 | 67 | 330 | 1540 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBH12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 15 | 90 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 110 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBT6N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 6 | 90 | 2.84 | 35 | 69 | 100 | 600 | - | - | 75 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBH6N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 6 | 90 | 2.84 | 35 | 69 | 100 | 600 | - | - | 75 | Да | -55 ... 150 |
|
| MMIX4B12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBL64N250 | Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 46А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 46 | 110 | 2.5 | 54 | 578 | 222 | 175 | - | - | 500 | Да | -55 ... 150 |
|
