Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGW19NC60W Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 23 100 2.5 25 7 90 43 81 125 140 Нет -65 ... -150 TO-247
STGP19NC60W Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 22 100 2.5 25 7 90 43 81 125 130 Нет -65 ... -150 TO-220
STGB19NC60W Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 22 100 2.5 25 7 90 43 81 125 130 Нет -65 ... -150 D2-PAK
STGP10NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.7 0.7 0.46 - 1200 0.6 5 31.5 Да -65 ... -150 TO-220
STGP10NB37LZ IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый STMicroelectronics IGBT
 410 10 100 1.3 1300 270 8000 1400 2.4 5 125 Нет -65 ... 175 TO-220
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый STMicroelectronics IGBT
 410 10 100 1.3 1300 270 8000 1400 2.4 5 125 Нет -65 ... 175 D2-PAK
STGP7NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 14 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 80 Нет -65 ... -150 TO-220
STGD7NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 14 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 70 Нет -65 ... -150 D-PAK
STGD7NB60S N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 7 100 1.6 700 460 - 1200 0.4 3.5 55 Нет -65 ... -150 D-PAK
STGD7NB120S-1 N-канальный IGBT-транзистор на 1200 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 1200 7 100 2.1 570 270 - 3300 3.2 15 55 Нет -65 ... -150 I-PAK
STGB3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 3 100 1.5 125 150 3400 720 1100 1.15 70 Да -60 ... -175 D2-PAK
STGW30N120KD IGBT-транзистор на 1200 В, 30А STMicroelectronics IGBT
 1200 30 100 2.8 36 22 251 260 2.4 4.3 220 Да -55 ... 125 TO-247
IRG7PH50U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
 1200 90 100 1.7 35 40 430 45 3.6 2.2 556 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IXGX55N120A3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 55А IXYS IGBT
 1200 55 110 1.85 24 46 618 635 9.5 29 460 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGH36N60A3D4 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
 600 36 110 1.4 18 25 500 500 1.5 5.3 220 Да -55 ... 150 TO-247
STGD6NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Нет -55 ... -150 D-PAK
NGTB15N120FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 15 А ON Semiconductor IGBT
 1200 15 100 2.4 64 104 132 173 1.2 0.37 147 Да -55 ... 175 TO-247
IXSH24N60BD1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 48А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 24 90 2.5 55 75 190 280 1.2 2.4 150 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH56N60B3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 56А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 56 110 1.49 26 37 220 165 2.34 2.2 330 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH120N30B3 IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 10...50 кГц IXYS IGBT
 300 120 110 1.42 21 30 106 250 - - 540 Нет -55 ... 150 TO-247
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники