Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGP10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 65 Да -55 ... 150 TO-220
STGB10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 65 Да -55 ... 150 D2-PAK
IXBP5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 3.5 90 4.9 140 200 120 70 - - 68 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXBH5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 3.5 90 4.9 140 200 120 70 - - 68 Да -55 ... 150 TO-247
STGB3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 3 100 1.5 125 150 3400 720 1100 1.15 70 Да -60 ... -175 D2-PAK
IXBF9N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 4 90 4.9 140 200 120 70 - - 70 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IKP08N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 11 100 1.65 11 5 115 15 0.07 0.03 70 Да -40 ... 175 TO-220
IKP08N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 11 100 1.6 10 5 116 20 0.07 0.02 70 Да -40 ... 175 TO-220
STGD7NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 14 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 70 Нет -65 ... -150 D-PAK
STGD5NB120SZ-1 Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А STMicroelectronics IGBT
 1200 5 100 2 690 170 12100 1130 2.59 9 75 Нет -55 ... -150 I-PAK
IXBT6N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 6 90 2.84 35 69 100 600 - - 75 Да -55 ... 150 TO-268
IXBH6N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 6 90 2.84 35 69 100 600 - - 75 Да -55 ... 150 TO-247
IXGT6N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 12А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 6 90 3 45 40 300 300 0.5 2 75 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH6N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 12А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 6 90 3 45 40 300 300 0.5 2 75 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGP12N120A2 IGBT-транзистор, 1200 В, 24А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 15 30 700 1050 0.5 7.7 75 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N120A2 IGBT-транзистор, 1200 В, 24А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 15 30 700 1050 0.5 7.7 75 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGT6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 3 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 75 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 3 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 75 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGP7N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 14 А серии Lightspeed IXYS IGBT
 600 7 90 2 10 15 120 85 0.15 0.22 75 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGA7N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 14 А серии Lightspeed IXYS IGBT
 600 7 90 2 10 15 120 85 0.15 0.22 75 Нет -55 ... 150 TO-263
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники