Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
IXGN320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А | IXYS |
IGBT |
600 | 170 | 110 | 1.05 | 62 | 77 | 330 | 1540 | - | - | 735 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGX320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А | IXYS |
IGBT |
600 | 210 | 110 | 1.05 | 62 | 67 | 330 | 1540 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGK320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А | IXYS |
IGBT |
600 | 210 | 110 | 1.05 | 62 | 67 | 330 | 1540 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IGW30N65L5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 | Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | - | 1.05 | 33 | 11 | 308 | 51 | 0.47 | 1.35 | 227 | Нет | -40 ... 175 |
|
|
IKW30N65NL5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 | Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | - | 1.05 | 59 | 20 | 283 | 67 | 0.56 | 1.35 | 227 | Да | -40 ... 175 |
|
|
IXGN400N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 400А | IXYS |
IGBT |
600 | 190 | 110 | 1.05 | 27 | 98 | 190 | 650 | - | - | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IKW30N65EL5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 | Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | - | 1.05 | 33 | 11 | 308 | 51 | 0.47 | 1.35 | 227 | Да | -40 ... 175 |
|
|
IKZ75N65EL5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 | Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 75 | - | 1.1 | 120 | 23 | 275 | 50 | 1.57 | 3.2 | 536 | Да | -40 ... 175 |
|
|
IKW75N65EL5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 | Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 75 | - | 1.1 | 40 | 11 | 275 | 50 | 1.61 | 3.2 | 536 | Да | -40 ... 175 |
|
|
IXGN400N30A3 | IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц | IXYS |
IGBT |
300 | 200 | 110 | 1.15 | 47 | 53 | 240 | 315 | - | - | 735 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGK400N30A3 | IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц | IXYS |
IGBT |
300 | 200 | 110 | 1.15 | 47 | 53 | 240 | 315 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGX400N30A3 | IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц | IXYS |
IGBT |
300 | 200 | 110 | 1.15 | 47 | 53 | 240 | 315 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGP48N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 48А | IXYS |
IGBT |
600 | 48 | 110 | 1.18 | 24 | 30 | 545 | 380 | 1.97 | 5.6 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
|
IXGH48N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 48А | IXYS |
IGBT |
600 | 48 | 110 | 1.18 | 24 | 30 | 545 | 380 | 1.97 | 5.6 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGA48N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 48А | IXYS |
IGBT |
600 | 48 | 110 | 1.18 | 24 | 30 | 545 | 380 | 1.97 | 5.6 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGH48N60A3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 48А | IXYS |
IGBT |
600 | 48 | 110 | 1.18 | 24 | 30 | 545 | 380 | 1.97 | 5.6 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGN200N60A2 | IGBT-транзистор, 600 В, 200А, оптимизированный для частоты коммутации выше 5кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 110 | 1.2 | 60 | 60 | 290 | 660 | 3 | 12 | 700 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGN120N60A3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 120А | IXYS |
IGBT |
600 | 120 | 110 | 1.2 | 40 | 83 | 420 | 410 | 3.5 | 10.4 | 595 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGN120N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 120А | IXYS |
IGBT |
600 | 120 | 110 | 1.2 | 40 | 83 | 420 | 410 | 3.5 | 10.4 | 595 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGX120N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 120А | IXYS |
IGBT |
600 | 120 | 110 | 1.2 | 40 | 83 | 420 | 410 | 3.5 | 10.4 | 780 | Нет | -55 ... 150 |
|