Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IXGN320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 170 110 1.05 62 77 330 1540 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGX320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IGW30N65L5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 30 - 1.05 33 11 308 51 0.47 1.35 227 Нет -40 ... 175 TO-247
IKW30N65NL5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 30 - 1.05 59 20 283 67 0.56 1.35 227 Да -40 ... 175 TO-247
IXGN400N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А IXYS IGBT
600 190 110 1.05 27 98 190 650 - - 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IKW30N65EL5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 30 - 1.05 33 11 308 51 0.47 1.35 227 Да -40 ... 175 TO-247
IKZ75N65EL5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 75 - 1.1 120 23 275 50 1.57 3.2 536 Да -40 ... 175 TO-247-4
IKW75N65EL5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 75 - 1.1 40 11 275 50 1.61 3.2 536 Да -40 ... 175 TO-247
IXGN400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGK400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGP48N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 48А IXYS IGBT
600 48 110 1.18 24 30 545 380 1.97 5.6 300 Нет -55 ... 150 TO-220
IXGH48N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 48А IXYS IGBT
600 48 110 1.18 24 30 545 380 1.97 5.6 300 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGA48N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 48А IXYS IGBT
600 48 110 1.18 24 30 545 380 1.97 5.6 300 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGH48N60A3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 48А IXYS IGBT
600 48 110 1.18 24 30 545 380 1.97 5.6 300 Да -55 ... 150 TO-247
IXGN200N60A2 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, оптимизированный для частоты коммутации выше 5кГц IXYS IGBT
600 100 110 1.2 60 60 290 660 3 12 700 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN120N60A3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 595 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN120N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 595 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGX120N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 780 Нет -55 ... 150 PLUS247
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019