Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGB20NB37LZ IGBT-транзистор на 400 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
400 20 100 1.35 2300 600 2000 11500 8800 11800 200 Нет -55 ... 175 D2-PAK
T0570VB25G Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 570 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
2500 570 - 2.1 1000 2500 1500 9300 1400 950 2960 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W67
T2250AB25E Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 2250 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
2500 2250 - 2.05 1200 2700 1800 8500 5300 3700 11800 Нет -40 ... 125 Press-Pack Capsule W71
T1200TB25A Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 120 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
2500 1200 - 2.15 1000 2500 1500 8300 2800 2000 5900 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W44
T0500NB25E Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 500 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
2500 500 - 2.05 1000 2200 1200 7800 1200 840 2600 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W40
T0360NB25A Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 360 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
2500 360 - 2.1 950 2000 1300 7500 850 600 1800 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W40
T0850VB25E Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 850 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
2500 850 - 2.05 1100 2000 1500 6000 2000 1400 4400 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W67
STGP35N35LZ IGBT-транзистор на 345 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
345 30 100 1.3 1100 700 26500 5500 - - 176 Нет -55 ... 175 TO-220
STGB35N35LZ IGBT-транзистор на 345 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
345 30 100 1.3 1100 700 26500 5500 - - 176 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
STGP18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
390 30 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 150 Нет -55 ... 175 TO-220
STGD18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
390 25 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 125 Нет -55 ... 175 D-PAK
I-PAK
STGB18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
390 30 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
IXGR50N160H1 IGBT-транзистор, 1500 В, 36А, низкое напряжение насыщения, технология NPT IXYS IGBT
1600 36 110 1.95 52 140 240 4600 - - 240 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
STGD7NB120S-1 N-канальный IGBT-транзистор на 1200 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
1200 7 100 2.1 570 270 - 3300 3.2 15 55 Нет -65 ... -150 I-PAK
T0900EB45A Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 900 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
4500 900 - 3.05 2400 3200 1900 2400 3800 3600 7100 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W44
T0900DF65A Press-Pack IGBT транзистор IXYS IGBT
6500 900 25 3.6 1600 3100 4500 2300 6500 5300 10600 Да -40 ... 125 -
T1600GB45G Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1600 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
4500 1600 - 2.75 2200 4400 5100 2300 14000 8700 12800 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W45
T0258HF65G Press-Pack IGBT транзистор IXYS IGBT
6500 258 25 3.6 1700 3500 5000 2200 1800 1450 3000 Да -40 ... 125 -
T1200EB45E Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1200 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
4500 1200 - 2.8 1800 3000 1600 2200 5700 5100 12500 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W44
T0340VB45G Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 340 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
4500 340 - 2.8 3700 3600 1800 2200 2400 1300 2750 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W67
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019