Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
TSG15N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 30А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
1200 15 100 1.9 34 106 192 94 2.1 0.54 184 Да -55 ... 150 TO-3PN
TSG25N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 50А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
1200 25 100 2.5 57 65 240 160 6.22 1.31 312 Да -55 ... 150 TO-3PN
FGA20S140P Быстродействующий IGBT-транзистор на 1400 В, 20 А Fairchild Semiconductor IGBT
1400 20 100 2.4 20 301 400 130 0.95 1.39 136 Нет -55 ... 175 TO-3PN
IXGQ50N60C4D1 IGBT-транзистор, 600 В, 36А - IXYS IGBT
600 36 110 1.95 30 45 210 96 1.1 0.9 290 Да -55 ... 150 TO-3P
TSG10N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 21А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
1200 10.5 100 2.7 30 13 130 460 0.3 0.5 125 Да -55 ... 150 TO-3P
GT40QR21 Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А Toshiba IGBT
1200 40 25 1.5 0.00018 0.00012 0.0004 0.0002 - 0.16 230 Да -55 ... 175 TO-3P
IXGQ50N60B4D1 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
600 36 110 1.43 31 45 280 220 0.94 1.9 290 Да -55 ... 150 TO-3P
IXGQ20N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
1200 20 110 2.9 25 18 270 360 1.4 4.5 190 Нет -55 ... 150 TO-3P
IXGQ20N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
1200 20 110 2.9 25 18 270 360 1.4 4.5 190 Да -55 ... 150 TO-3P
IXSQ20N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания - IXYS IGBT
600 35 110 2.5 - - - 126 - 0.97 - Да -55 ... 150 TO-3P
IXSQ10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А IXYS IGBT
600 10 110 2.5 30 30 260 270 0.32 0.79 100 Да -55 ... 150 TO-3P
IRG7PSH50UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF) IGBT
1200 70 100 1.7 35 40 430 45 3.6 2.2 556 Да -55 ... 150 TO-274AA
IRGPS4067D Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда International Rectifier (IRF) IGBT
600 160 100 1.7 80 70 190 40 5.75 3.43 750 Да -55 ... 175 TO-274AA
IXGT30N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40...100 кГц IXYS IGBT
600 30 110 2.6 17 28 70 90 0.44 0.33 220 Да -55 ... 150 TO-268
IXST30N60BD1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 55А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
600 30 90 2.7 30 35 270 250 0.5 2.5 200 Да -55 ... 150 TO-268
IXGT60N60B2 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, частота коммутации 10...25 кГц IXYS IGBT
600 60 110 1.8 28 36 310 240 0.6 2.8 500 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGT31N60D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
600 31 90 1.7 15 25 800 800 1 12 150 Да -55 ... 150 TO-268
IXBT16N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
1700 16 90 3.3 37 183 235 705 - - 250 Да -55 ... 150 TO-268
IXGT30N120B3D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
1200 28 110 2.96 18 38 216 255 6.7 5.1 300 Да -55 ... 150 TO-268
IXST45N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
1200 45 90 2.5 38 29 440 700 2.9 22 300 Нет -55 ... 150 TO-268
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019