Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
TSG15N120CN | IGBT-транзистор на 1200В, 30А со встроенным ограничительным диодом | Taiwan Semiconductor |
IGBT |
1200 | 15 | 100 | 1.9 | 34 | 106 | 192 | 94 | 2.1 | 0.54 | 184 | Да | -55 ... 150 |
TO-3PN |
|
TSG25N120CN | IGBT-транзистор на 1200В, 50А со встроенным ограничительным диодом | Taiwan Semiconductor |
IGBT |
1200 | 25 | 100 | 2.5 | 57 | 65 | 240 | 160 | 6.22 | 1.31 | 312 | Да | -55 ... 150 |
TO-3PN |
|
FGA20S140P | Быстродействующий IGBT-транзистор на 1400 В, 20 А | Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1400 | 20 | 100 | 2.4 | 20 | 301 | 400 | 130 | 0.95 | 1.39 | 136 | Нет | -55 ... 175 |
TO-3PN |
|
IXGQ50N60C4D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 36А | - | IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 1.95 | 30 | 45 | 210 | 96 | 1.1 | 0.9 | 290 | Да | -55 ... 150 |
|
TSG10N120CN | IGBT-транзистор на 1200В, 21А со встроенным ограничительным диодом | Taiwan Semiconductor |
IGBT |
1200 | 10.5 | 100 | 2.7 | 30 | 13 | 130 | 460 | 0.3 | 0.5 | 125 | Да | -55 ... 150 |
|
|
GT40QR21 | Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А | Toshiba |
IGBT |
1200 | 40 | 25 | 1.5 | 0.00018 | 0.00012 | 0.0004 | 0.0002 | - | 0.16 | 230 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXGQ50N60B4D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 36А | IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 1.43 | 31 | 45 | 280 | 220 | 0.94 | 1.9 | 290 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGQ20N120B | IGBT-транзистор, 1200 В, 40А | IXYS |
IGBT |
1200 | 20 | 110 | 2.9 | 25 | 18 | 270 | 360 | 1.4 | 4.5 | 190 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGQ20N120BD1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 40А | IXYS |
IGBT |
1200 | 20 | 110 | 2.9 | 25 | 18 | 270 | 360 | 1.4 | 4.5 | 190 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXSQ20N60B2D1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания | - | IXYS |
IGBT |
600 | 35 | 110 | 2.5 | - | - | - | 126 | - | 0.97 | - | Да | -55 ... 150 |
|
IXSQ10N60B2D1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А | IXYS |
IGBT |
600 | 10 | 110 | 2.5 | 30 | 30 | 260 | 270 | 0.32 | 0.79 | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IRG7PSH50UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод | International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 70 | 100 | 1.7 | 35 | 40 | 430 | 45 | 3.6 | 2.2 | 556 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IRGPS4067D | Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда | International Rectifier (IRF) |
IGBT |
600 | 160 | 100 | 1.7 | 80 | 70 | 190 | 40 | 5.75 | 3.43 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXGT30N60C3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40...100 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 30 | 110 | 2.6 | 17 | 28 | 70 | 90 | 0.44 | 0.33 | 220 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXST30N60BD1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 55А, работа в режиме короткого замыкания | IXYS |
IGBT |
600 | 30 | 90 | 2.7 | 30 | 35 | 270 | 250 | 0.5 | 2.5 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGT60N60B2 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А, частота коммутации 10...25 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 60 | 110 | 1.8 | 28 | 36 | 310 | 240 | 0.6 | 2.8 | 500 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGT31N60D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 60А | IXYS |
IGBT |
600 | 31 | 90 | 1.7 | 15 | 25 | 800 | 800 | 1 | 12 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBT16N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
1700 | 16 | 90 | 3.3 | 37 | 183 | 235 | 705 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGT30N120B3D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц | IXYS |
IGBT |
1200 | 28 | 110 | 2.96 | 18 | 38 | 216 | 255 | 6.7 | 5.1 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXST45N120B | IGBT-транзистор, 1200 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания | IXYS |
IGBT |
1200 | 45 | 90 | 2.5 | 38 | 29 | 440 | 700 | 2.9 | 22 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|