Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
GT40QR21 Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А Toshiba IGBT
 1200 40 25 1.5 0.00018 0.00012 0.0004 0.0002 - 0.16 230 Да -55 ... 175 TO-3P
TSG60N100CE IGBT-транзистор на 1000В, 60А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1000 42 100 2.5 230 210 1250 230 22 11 208 Да -55 ... 150 TO-264
TSG10N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 21А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 10.5 100 2.7 30 13 130 460 0.3 0.5 125 Да -55 ... 150 TO-3P
TSG15N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 30А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 15 100 1.9 34 106 192 94 2.1 0.54 184 Да -55 ... 150 TO-3PN
TSG25N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 50А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 25 100 2.5 57 65 240 160 6.22 1.31 312 Да -55 ... 150 TO-3PN
TSG40N120CE IGBT-транзистор на 1200В, 64А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 40 100 2.8 41 82 200 170 8.7 2.3 208 Да -55 ... 150 TO-264
STGW30N120KD IGBT-транзистор на 1200 В, 30А STMicroelectronics IGBT
 1200 30 100 2.8 36 22 251 260 2.4 4.3 220 Да -55 ... 125 TO-247
STGB3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 3 100 1.5 125 150 3400 720 1100 1.15 70 Да -60 ... -175 D2-PAK
STGD5NB120SZ-1 Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А STMicroelectronics IGBT
 1200 5 100 2 690 170 12100 1130 2.59 9 75 Нет -55 ... -150 I-PAK
STGB10NB60S 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.25 700 460 - 1200 0.6 5 80 Нет -55 ... 150 D2-PAK
STGD10NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 2.5 14.2 5 72 85 31.8 95 60 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGW19NC60HD Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 21 100 2.5 25 7 97 73 85 189 140 Да -55 ... -150 TO-247
STGP30NC60S Скоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 600 35 100 1.9 21.5 8.5 180 200 300 1275 175 Нет -55 ... -150 TO-220
STGB10NB40LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
 410 10 100 1.2 1300 270 8000 1400 2.4 5 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGF7NC60HD N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 6 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 25 Да -55 ... -150 TO-220FP
STGWS38IH130D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А STMicroelectronics IGBT
 1300 25 - 2.8 - - - - - - 180 Да -55 ... -150 TO-247
STGD10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 D-PAK
STGD6NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGB19NC60W Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 22 100 2.5 25 7 90 43 81 125 130 Нет -65 ... -150 D2-PAK
STGW40NC60V N-канальный быстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 50 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 2.5 43 17 140 45 330 720 260 Нет -55 ... -150 TO-247
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники