Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGH120N30B3 IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 10...50 кГц IXYS IGBT
 300 120 110 1.42 21 30 106 250 - - 540 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH100N30B3 IGBT-транзистор, 300 В, 100 А, частота коммутации 10...50 кГц IXYS IGBT
 300 100 110 1.35 24 61 124 148 - - 460 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH120N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 50...150 кГц IXYS IGBT
 300 120 110 1.75 28 38 120 113 0.37 0.88 540 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH100N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 100 А, частота коммутации 50...150 кГц IXYS IGBT
 300 100 110 1.53 24 37 131 113 0.35 0.75 460 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH85N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 85 А, частота коммутации 50...150 кГц IXYS IGBT
 300 85 110 1.64 22 33 120 101 0.66 0.48 333 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH60N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 60 А, частота коммутации 50...150 кГц IXYS IGBT
 300 60 110 1.55 22 28 120 101 0.26 0.4 300 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGN400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGK400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGP42N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 42 А, частота коммутации 10...150 кГц IXYS IGBT
 300 42 110 1.54 21 22 127 102 0.21 0.2 223 Нет -55 ... 150 TO-220
IXGH42N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 42 А, частота коммутации 10...150 кГц IXYS IGBT
 300 42 110 1.54 21 22 127 102 0.21 0.2 223 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGA42N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 42 А, частота коммутации 10...150 кГц IXYS IGBT
 300 42 110 1.54 21 22 127 102 0.21 0.2 223 Нет -55 ... 150 TO-263
STGW100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 330 45 100 2.6 - - 134 57 - - 250 Нет -55 ... 150 TO-247
STGP100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 330 45 100 2.6 - - 134 57 - - 250 Нет -55 ... 150 TO-220
STGF100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 330 10 100 2.6 - - 135 57 - - 40 Нет -55 ... 150 TO-220FP
STGP35N35LZ IGBT-транзистор на 345 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 345 30 100 1.3 1100 700 26500 5500 - - 176 Нет -55 ... 175 TO-220
STGB35N35LZ IGBT-транзистор на 345 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 345 30 100 1.3 1100 700 26500 5500 - - 176 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
STGP18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 390 30 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 150 Нет -55 ... 175 TO-220
STGD18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 390 25 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 125 Нет -55 ... 175 D-PAK
I-PAK
STGB18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 390 30 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники