Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
IXGF20N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А | IXYS |
IGBT |
2500 | 14 | 90 | 3.1 | 57 | 160 | 136 | 930 | - | - | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGH12N60C | IGBT-транзистор, 600 В, 24 А | IXYS |
IGBT |
600 | 12 | 90 | 2.1 | 20 | 20 | 85 | 85 | 0.15 | 0.27 | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGH12N60B | IGBT-транзистор, 600 В, 24 А | IXYS |
IGBT |
600 | 12 | 90 | 2.1 | 20 | 20 | 200 | 200 | 0.15 | 0.8 | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IKP15N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 | Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | 25 | 1.65 | 17 | 7 | 160 | 10 | 0.12 | 0.05 | 105 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |
|
IKP15N65F5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 | Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 18 | 100 | 1.6 | 17 | 7 | 150 | 16 | 0.13 | 0.04 | 105 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |
|
IXBF20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 15 | 90 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 110 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGH10N170 | IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 10 | 90 | 2.7 | 30 | 270 | 135 | 495 | - | - | 110 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGT10N170 | IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 10 | 90 | 2.7 | 30 | 270 | 135 | 495 | - | - | 110 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGF25N300 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 3000 В, 27А | IXYS |
IGBT |
3000 | 16 | 90 | 3 | 70 | 240 | 220 | 500 | - | - | 114 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGF25N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 30А | IXYS |
IGBT |
2500 | 15 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 114 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGR16N170AH1 | IGBT-транзистор, 1700 В, 16А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 8 | 90 | 4.2 | 38 | 59 | 55 | 200 | 1.5 | 1.1 | 120 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXYP8N90C3 | IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц | IXYS |
IGBT |
900 | 8 | 110 | 2.15 | 17 | 22 | 75 | 163 | 1 | 0.22 | 120 | Нет | -55 ... 175 |
TO-220 |
|
IXYY8N90C3 | IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц | IXYS |
IGBT |
900 | 8 | 110 | 2.15 | 17 | 22 | 75 | 163 | 1 | 0.22 | 120 | Нет | -55 ... 175 |
TO-252 |
|
STGP19NC60S | Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 20 А | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 20 | 100 | 1.9 | 17.5 | 6.2 | 175 | 215 | 135 | 815 | 125 | Нет | -55 ... -150 |
TO-220 |
|
STGB19NC60S | Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 20 А | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 20 | 100 | 1.9 | 17.5 | 6.2 | 175 | 215 | 135 | 815 | 125 | Нет | -55 ... -150 |
D2-PAK |
|
STGP19NC60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 20 | 100 | 2.75 | 30 | 8 | 105 | 85 | 165 | 255 | 125 | Да | -55 ... -150 |
TO-220 |
|
STGB19NC60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 20 | 100 | 2.75 | 30 | 8 | 105 | 85 | 165 | 255 | 125 | Да | -55 ... -150 |
D2-PAK |
|
STGP19NC60K | IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 20 | 100 | 2.75 | 30 | 8 | 105 | 85 | 165 | 255 | 125 | Нет | -55 ... -150 |
TO-220 |
|
IXDR35N60BD1 | IGBT-транзистор, 600 В, 38А, низкое напряжение насыщения | IXYS |
IGBT |
600 | 24 | 90 | 2.2 | 30 | 45 | 320 | 70 | 1.6 | 0.8 | 125 | Да | -55 ... 150 |
|
|
STGB19NC60K | IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 20 | 100 | 2.75 | 30 | 8 | 105 | 85 | 165 | 255 | 125 | Нет | -55 ... -150 |
D2-PAK |