Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IXGF20N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А IXYS IGBT
2500 14 90 3.1 57 160 136 930 - - 100 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGH12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.15 0.27 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH12N60B IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.15 0.8 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IKP15N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 30 25 1.65 17 7 160 10 0.12 0.05 105 Да -40 ... 175 TO-220
IKP15N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 18 100 1.6 17 7 150 16 0.13 0.04 105 Да -40 ... 175 TO-220
IXBF20N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 15 90 2.7 68 540 300 395 - - 110 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGH10N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT IXYS IGBT
1700 10 90 2.7 30 270 135 495 - - 110 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGT10N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT IXYS IGBT
1700 10 90 2.7 30 270 135 495 - - 110 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGF25N300 IGBT-транзистор высокого напряжения, 3000 В, 27А IXYS IGBT
3000 16 90 3 70 240 220 500 - - 114 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGF25N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 30А IXYS IGBT
2500 15 110 2.9 68 233 209 200 - - 114 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGR16N170AH1 IGBT-транзистор, 1700 В, 16А, технология NPT IXYS IGBT
1700 8 90 4.2 38 59 55 200 1.5 1.1 120 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXYP8N90C3 IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
900 8 110 2.15 17 22 75 163 1 0.22 120 Нет -55 ... 175 TO-220
IXYY8N90C3 IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
900 8 110 2.15 17 22 75 163 1 0.22 120 Нет -55 ... 175 TO-252
STGP19NC60S Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
600 20 100 1.9 17.5 6.2 175 215 135 815 125 Нет -55 ... -150 TO-220
STGB19NC60S Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
600 20 100 1.9 17.5 6.2 175 215 135 815 125 Нет -55 ... -150 D2-PAK
STGP19NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 20 100 2.75 30 8 105 85 165 255 125 Да -55 ... -150 TO-220
STGB19NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 20 100 2.75 30 8 105 85 165 255 125 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGP19NC60K IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 20 100 2.75 30 8 105 85 165 255 125 Нет -55 ... -150 TO-220
IXDR35N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 38А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
600 24 90 2.2 30 45 320 70 1.6 0.8 125 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
STGB19NC60K IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 20 100 2.75 30 8 105 85 165 255 125 Нет -55 ... -150 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019