Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы IGBT-транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
V_CES (В)
Рабочий ток: I_C (А)
Рабочий ток: При T_C (°C)
V_CE(sat) (В)
t_d(on) (тип.) (нс)
t_r (тип.) (нс)
t_d(off) (тип.) (нс)
t_f (тип.) (нс)
E_ON (тип.) (мДж)
E_OFF (тип.) (мДж)
P_D (Вт)
FWD
T_A (°C)	От до
Корпус

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	Рабочий ток		V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус
Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	I_C А	При T_C °C	V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус

IXGX55N120A3H1	IGBT-транзистор, 1200 В, 55А		IXYS	IGBT	1200	55	110	1.85	24	46	618	635	9.5	29	460	Да	-55 ... 150	PLUS247
IXGH36N60A3D4	IGBT-транзистор, 600 В, 36А		IXYS	IGBT	600	36	110	1.4	18	25	500	500	1.5	5.3	220	Да	-55 ... 150	TO-247
IXGH56N60B3D1	IGBT-транзистор, 600 В, 56А, частота коммутации 5...40 кГц		IXYS	IGBT	600	56	110	1.49	26	37	220	165	2.34	2.2	330	Да	-55 ... 150	TO-247AD
IXGH120N30B3	IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 10...50 кГц		IXYS	IGBT	300	120	110	1.42	21	30	106	250	-	-	540	Нет	-55 ... 150	TO-247
IXGR48N60B3D1	IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 5...40 Кгц		IXYS	IGBT	600	27	110	1.77	19	25	190	157	1.71	1.3	150	Да	-55 ... 150	ISOPLUS247
IXXK160N65B4	IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through)		IXYS	IGBT	650	160	110	1.8	52	64	220	90	3.3	1.88	940	Нет	-55 ... 175	TO-264
IXGJ40N60C2D1	IGBT-транзистор, 600 В, 40А		IXYS	IGBT	600	40	110	2.2	18	20	130	80	0.6	0.6	300	Да	-55 ... 150	TO-268
IXGH50N90B2	Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 75А		IXYS	IGBT	900	50	110	2.2	20	28	400	420	0.7	8.7	400	Нет	-55 ... 150	TO-247AD
IXBH20N300	Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	3000	20	110	2.7	68	540	300	395	-	-	250	Да	-55 ... 150	TO-247
IXGP30N120B3	IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц		IXYS	IGBT	1200	30	110	2.96	18	38	216	255	6.7	5.1	300	Нет	-55 ... 150	TO-220
IXGH60N60C3	IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40...100 кГц		IXYS	IGBT	600	60	110	2.2	21	33	112	86	1.25	0.8	380	Нет	-55 ... 150	TO-247
IXXX200N60B3	IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц		IXYS	IGBT	600	200	110	1.4	46	94	180	215	4.4	3.45	1630	Нет	-55 ... 175	PLUS247
IXGH2N250	IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А		IXYS	IGBT	2500	2	110	2.6	26	89	74	204	-	-	32	Нет	-55 ... 150	TO-247
IXGH24N60CD1	IGBT-транзистор, 600 В, 48 А		IXYS	IGBT	600	24	110	2.1	15	25	130	110	1	0.6	150	Да	-55 ... 150	TO-247AD
IXGK55N120A3H1	IGBT-транзистор, 1200 В, 55А		IXYS	IGBT	1200	55	110	1.85	24	46	618	635	9.5	29	460	Да	-55 ... 150	TO-264
IXGT60N60C2	IGBT-транзистор, 600 В, 75А		IXYS	IGBT	600	60	110	2.1	18	25	130	80	0.45	1.2	480	Нет	-55 ... 150	TO-268
IXGN320N60A3	IGBT-транзистор, 600 В, 320А		IXYS	IGBT	600	170	110	1.05	62	77	330	1540	-	-	735	Нет	-55 ... 150	SOT-227 B
IXGH100N30B3	IGBT-транзистор, 300 В, 100 А, частота коммутации 10...50 кГц		IXYS	IGBT	300	100	110	1.35	24	61	124	148	-	-	460	Нет	-55 ... 150	TO-247
IXGR48N60B3	IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 5...40 Кгц		IXYS	IGBT	600	27	110	1.77	19	25	190	157	1.71	1.3	150	Нет	-55 ... 150	ISOPLUS247
IXXX160N65B4	IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through)		IXYS	IGBT	650	160	110	1.8	52	64	220	90	3.3	1.88	940	Нет	-55 ... 175	PLUS247

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск