Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STGD3HF60WD | Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 3 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | - | 100 | 1.8 | - | - | - | - | - | - | - | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
| NGTB20N135IHR | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1350 В и током коллектора 20 А, выполненный по технологии Field Stop |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
1350 | 20 | 100 | 2.2 | - | - | 245 | 175 | - | 0.6 | 197 | Да | -40 ... 175 |
|
| STGD10NC60HD | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | - | 2.5 | - | - | - | - | - | - | 62 | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
| IXSQ20N60B2D1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания | - | IXYS |
IGBT |
600 | 35 | 110 | 2.5 | - | - | - | 126 | - | 0.97 | - | Да | -55 ... 150 |
|
| STGP10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | - | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 80 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |
| STGF10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 6 А, с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 6 | - | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 30 | Да | -40 ... 175 |
|
| STGD10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | - | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 80 | Да | -40 ... 175 |
D-PAK |
| STGB10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 80 | Да | -40 ... 175 |
D2-PAK |
| STGW100N30 | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
330 | 45 | 100 | 2.6 | - | - | 134 | 57 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGP100N30 | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
330 | 45 | 100 | 2.6 | - | - | 134 | 57 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
| STGF100N30 | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
330 | 10 | 100 | 2.6 | - | - | 135 | 57 | - | - | 40 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGP14HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 14 | - | 2.1 | - | - | - | - | - | - | 95 | Да | -40 ... -175 |
TO-220 |
| STGF14HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.1 | - | - | - | - | - | - | 33 | Да | -40 ... -175 |
|
| STGWS38IH130D | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
1300 | 25 | - | 2.8 | - | - | - | - | - | - | 180 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGW38IH130D | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
1300 | 33 | 100 | 2.8 | - | - | 284 | 180 | - | 3.4 | 250 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGW45HF60WDI | Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 50 | 100 | 1.9 | - | - | - | - | - | - | 310 | Да | -55 ... 150 |
|
| IFS200V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 200 | 100 | 2.15 | 40 | - | 500 | - | 21.3 | 20 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
| STGW45HF60WD | Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 45 | 100 | 1.9 | - | - | - | - | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IFS150V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 150 | 100 | 2.15 | 40 | - | 500 | - | 15 | 13.9 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
| IXGT2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 4А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 4 | 110 | 4.6 | - | - | 385 | 86 | - | 0.8 | 150 | Нет | -55 ... 150 |
|
