Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
STGW30N120KD | IGBT-транзистор на 1200 В, 30А | STMicroelectronics |
IGBT |
1200 | 30 | 100 | 2.8 | 36 | 22 | 251 | 260 | 2.4 | 4.3 | 220 | Да | -55 ... 125 |
|
|
IXGX55N120A3H1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 55А | IXYS |
IGBT |
1200 | 55 | 110 | 1.85 | 24 | 46 | 618 | 635 | 9.5 | 29 | 460 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGH36N60A3D4 | IGBT-транзистор, 600 В, 36А | IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 1.4 | 18 | 25 | 500 | 500 | 1.5 | 5.3 | 220 | Да | -55 ... 150 |
|
|
NGTB15N120FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 15 А | ON Semiconductor |
IGBT |
1200 | 15 | 100 | 2.4 | 64 | 104 | 132 | 173 | 1.2 | 0.37 | 147 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXSH24N60BD1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 48А, работа в режиме короткого замыкания | IXYS |
IGBT |
600 | 24 | 90 | 2.5 | 55 | 75 | 190 | 280 | 1.2 | 2.4 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGH56N60B3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 56А, частота коммутации 5...40 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 56 | 110 | 1.49 | 26 | 37 | 220 | 165 | 2.34 | 2.2 | 330 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBT28N170A | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 30А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
1700 | 14 | 90 | 4.7 | 35 | 36 | 290 | 150 | 0.7 | 2.3 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGT15N120B2D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 10...20 кГц | IXYS |
IGBT |
1200 | 15 | 90 | 3.3 | 25 | 18 | 260 | 305 | 0.6 | 2.8 | 190 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR48N60B3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 5...40 Кгц | IXYS |
IGBT |
600 | 27 | 110 | 1.77 | 19 | 25 | 190 | 157 | 1.71 | 1.3 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGJ40N60C2D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 40А | IXYS |
IGBT |
600 | 40 | 110 | 2.2 | 18 | 20 | 130 | 80 | 0.6 | 0.6 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGH12N60BD1 | IGBT-транзистор, 600 В, 24 А | IXYS |
IGBT |
600 | 12 | 90 | 2.1 | 20 | 20 | 200 | 200 | 0.5 | 0.8 | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBH20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 20 | 110 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
|
STGB3NB60SD | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™ | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 3 | 100 | 1.5 | 125 | 150 | 3400 | 720 | 1100 | 1.15 | 70 | Да | -60 ... -175 |
D2-PAK |
|
FGH40T100SMD | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1000 В, выполненный по технологии Field Stop Trench | Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1000 | 40 | 100 | 1.9 | 38 | 55 | 371 | 30 | 3.1 | 1.5 | 166 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXGH24N60CD1 | IGBT-транзистор, 600 В, 48 А | IXYS |
IGBT |
600 | 24 | 110 | 2.1 | 15 | 25 | 130 | 110 | 1 | 0.6 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGK55N120A3H1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 55А | IXYS |
IGBT |
1200 | 55 | 110 | 1.85 | 24 | 46 | 618 | 635 | 9.5 | 29 | 460 | Да | -55 ... 150 |
|
|
STGD3NB60SD | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства PowerMESH™ | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 3 | 100 | 1.5 | 125000 | 150000 | - | 720 | 1100 | 1.15 | 48 | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
|
IXBT16N170A | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
1700 | 10 | 90 | 6 | 15 | 28 | 220 | 150 | 2 | 2.6 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGH15N120B2D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 10...20 кГц | IXYS |
IGBT |
1200 | 15 | 90 | 3.3 | 25 | 18 | 260 | 305 | 0.6 | 2.8 | 190 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXER35N120D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 50А | IXYS |
IGBT |
1200 | 32 | 90 | 2.2 | 85 | 50 | 440 | 50 | 5.4 | 2.6 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|