Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGW30N120KD IGBT-транзистор на 1200 В, 30А STMicroelectronics IGBT
1200 30 100 2.8 36 22 251 260 2.4 4.3 220 Да -55 ... 125 TO-247
IXGX55N120A3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 55А IXYS IGBT
1200 55 110 1.85 24 46 618 635 9.5 29 460 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGH36N60A3D4 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
600 36 110 1.4 18 25 500 500 1.5 5.3 220 Да -55 ... 150 TO-247
NGTB15N120FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 15 А ON Semiconductor IGBT
1200 15 100 2.4 64 104 132 173 1.2 0.37 147 Да -55 ... 175 TO-247
IXSH24N60BD1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 48А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
600 24 90 2.5 55 75 190 280 1.2 2.4 150 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH56N60B3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 56А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 56 110 1.49 26 37 220 165 2.34 2.2 330 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXBT28N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 30А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
1700 14 90 4.7 35 36 290 150 0.7 2.3 300 Да -55 ... 150 TO-268
IXGT15N120B2D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 10...20 кГц IXYS IGBT
1200 15 90 3.3 25 18 260 305 0.6 2.8 190 Да -55 ... 150 TO-268
IXGR48N60B3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 5...40 Кгц IXYS IGBT
600 27 110 1.77 19 25 190 157 1.71 1.3 150 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGJ40N60C2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 40А IXYS IGBT
600 40 110 2.2 18 20 130 80 0.6 0.6 300 Да -55 ... 150 TO-268
IXGH12N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.5 0.8 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXBH20N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 20 110 2.7 68 540 300 395 - - 250 Да -55 ... 150 TO-247
STGB3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™ STMicroelectronics IGBT
600 3 100 1.5 125 150 3400 720 1100 1.15 70 Да -60 ... -175 D2-PAK
FGH40T100SMD IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1000 В, выполненный по технологии Field Stop Trench Fairchild Semiconductor IGBT
1000 40 100 1.9 38 55 371 30 3.1 1.5 166 Да -55 ... 175 TO-247
IXGH24N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 48 А IXYS IGBT
600 24 110 2.1 15 25 130 110 1 0.6 150 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGK55N120A3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 55А IXYS IGBT
1200 55 110 1.85 24 46 618 635 9.5 29 460 Да -55 ... 150 TO-264
STGD3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 3 100 1.5 125000 150000 - 720 1100 1.15 48 Да -55 ... -150 D-PAK
IXBT16N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
1700 10 90 6 15 28 220 150 2 2.6 150 Да -55 ... 150 TO-268
IXGH15N120B2D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 10...20 кГц IXYS IGBT
1200 15 90 3.3 25 18 260 305 0.6 2.8 190 Да -55 ... 150 TO-247
IXER35N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
1200 32 90 2.2 85 50 440 50 5.4 2.6 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019