Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IRG7PH50U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
 1200 90 100 1.7 35 40 430 45 3.6 2.2 556 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
NGTB15N120FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 15 А ON Semiconductor IGBT
 1200 15 100 2.4 64 104 132 173 1.2 0.37 147 Да -55 ... 175 TO-247
IXXK160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 TO-264
FGH40T100SMD IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1000 В, выполненный по технологии Field Stop Trench Fairchild Semiconductor IGBT
 1000 40 100 1.9 38 55 371 30 3.1 1.5 166 Да -55 ... 175 TO-247
IXXX200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 PLUS247
NGTG25N120FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 25 А ON Semiconductor IGBT
 1200 25 100 2.4 87 74 179 136 1.95 0.6 192 Нет -55 ... 175 TO-247
IXXX160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXK200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
NGTB25N120FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 25 А ON Semiconductor IGBT
 1200 25 100 2.4 87 74 179 136 1.95 0.6 192 Да -55 ... 175 TO-247
IXXK160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXX200N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.6 47 96 150 90 4 2.1 1630 Нет -55 ... 175 PLUS247
IRG7PH46U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
 1200 75 100 1.7 45 40 410 45 2.56 1.78 469 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
NGTB30N120FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 30 А ON Semiconductor IGBT
 1200 30 100 2.3 98 35 210 130 2.6 0.7 227 Да -55 ... 175 TO-247
IXXX160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXK200N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.6 47 96 150 90 4 2.1 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXK110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 TO-264
NGTB20N135IHR IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1350 В и током коллектора 20 А, выполненный по технологии Field Stop ON Semiconductor IGBT
 1350 20 100 2.2 - - 245 175 - 0.6 197 Да -40 ... 175 TO-247
IXXH100N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 100 110 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 830 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IRG7PH42U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
 1200 60 100 1.7 25 32 229 63 3.186 2.153 385 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
NGTG40N120FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 40 А ON Semiconductor IGBT
 1200 40 100 2.4 116 42 286 121 3.4 1.1 267 Нет -55 ... 175 TO-247
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники