Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRG7PH50U | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 90 | 100 | 1.7 | 35 | 40 | 430 | 45 | 3.6 | 2.2 | 556 | Нет | -55 ... 175 |
TO-247AC |
| STGD6NC60H | N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Нет | -55 ... -150 |
D-PAK |
| IXGH120N30B3 | IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 10...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
300 | 120 | 110 | 1.42 | 21 | 30 | 106 | 250 | - | - | 540 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGD10NC60K | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.8 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 60 | Нет | -55 ... 150 |
D-PAK |
| IXXK160N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 1.8 | 52 | 64 | 220 | 90 | 3.3 | 1.88 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXDH30N120 | IGBT-транзистор, 1200 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 38 | 90 | 2.4 | 100 | 70 | 500 | 70 | 4.6 | 3.4 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGD5NB120SZ-1 | Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
1200 | 5 | 100 | 2 | 690 | 170 | 12100 | 1130 | 2.59 | 9 | 75 | Нет | -55 ... -150 |
|
| IXSK80N60B | IGBT-транзистор, 600 В, 160А, работа в режиме короткого замыкания |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 80 | 90 | 2.5 | 60 | 60 | 190 | 260 | 4.8 | 6.7 | 500 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH50N90B2 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 75А |
|
IXYS |
IGBT |
900 | 50 | 110 | 2.2 | 20 | 28 | 400 | 420 | 0.7 | 8.7 | 400 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGP30N120B3 | IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 30 | 110 | 2.96 | 18 | 38 | 216 | 255 | 6.7 | 5.1 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
| IXGH60N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40...100 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 60 | 110 | 2.2 | 21 | 33 | 112 | 86 | 1.25 | 0.8 | 380 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT16N170 | IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 16 | 90 | 2.7 | 48 | 42 | 430 | 1170 | 1.5 | 11.2 | 190 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGN60N60 | IGBT-транзистор, 600 В, 100А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 60 | 90 | 1.7 | 50 | 30 | 650 | 550 | 3 | 17 | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXXX200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.4 | 46 | 94 | 180 | 215 | 4.4 | 3.45 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXGH2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 2.6 | 26 | 89 | 74 | 204 | - | - | 32 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH20N100A3 | IGBT-транзистор, 1000 В, 20А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 20 | 90 | 2.1 | 37 | 125 | 80 | 1550 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT60N60C2 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 60 | 110 | 2.1 | 18 | 25 | 130 | 80 | 0.45 | 1.2 | 480 | Нет | -55 ... 150 |
|
| NGTG25N120FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 25 А |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
1200 | 25 | 100 | 2.4 | 87 | 74 | 179 | 136 | 1.95 | 0.6 | 192 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXST24N60B | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 48А, работа в режиме короткого замыкания |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 24 | 90 | 2.5 | 55 | 75 | 190 | 280 | 1.2 | 2.4 | 150 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGN320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 170 | 110 | 1.05 | 62 | 77 | 330 | 1540 | - | - | 735 | Нет | -55 ... 150 |
|
