Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| T1600GB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1600 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 1600 | - | 2.75 | 2200 | 4400 | 5100 | 2300 | 14000 | 8700 | 12800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
| T1800GB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1800 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 1800 | - | 2.8 | 1600 | 3300 | 4000 | 2000 | 12600 | 9500 | 13700 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
| T2400GB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 2400 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 2400 | - | 2.8 | 1700 | 3800 | 6000 | 1900 | 15000 | 14000 | 19000 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
