Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
||
FGA20S140P | Быстродействующий IGBT-транзистор на 1400 В, 20 А |
![]() |
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1400 | 20 | 100 | 2.4 | 20 | 301 | 400 | 130 | 0.95 | 1.39 | 136 | Нет | -55 ... 175 |
TO-3PN |
FGH15T120SMD | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench |
![]() |
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1200 | 15 | 100 | 1.9 | 32 | 47 | 490 | 12 | 1.15 | 0.46 | 167 | Да | -55 ... 175 |
|
FGH25T120SMD | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench |
![]() |
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1200 | 25 | 100 | 1.9 | 40 | 45 | 490 | 12 | 1.74 | 0.56 | 214 | Да | -55 ... 175 |
|
FGH40T100SMD | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1000 В, выполненный по технологии Field Stop Trench |
![]() |
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1000 | 40 | 100 | 1.9 | 38 | 55 | 371 | 30 | 3.1 | 1.5 | 166 | Да | -55 ... 175 |
|
FGH40T120SMD | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench |
![]() |
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1200 | 40 | 100 | 1.9 | 40 | 47 | 475 | 10 | 2.7 | 1.1 | 277 | Да | -55 ... 175 |
|
FGH75T65SQD | IGBT-транзистор на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения, 650 В, 75 А |
![]() |
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
650 | 75 | 100 | 2.1 | 23 | 10 | 120 | 7 | 300 | 70 | 375 | Да | -55 ... 175 |
|
FGY120T65S_F085 | IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом |
![]() |
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
650 | 220 | 100 | 1.85 | 53 | 134 | 102 | 115 | 6.8 | 3.5 | 862 | Да | -55 ... 175 |
|
GT40QR21 | Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А |
![]() |
Toshiba |
IGBT |
1200 | 40 | 25 | 1.5 | 0.00018 | 0.00012 | 0.0004 | 0.0002 | - | 0.16 | 230 | Да | -55 ... 175 |
|
IFS100V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 100 | 100 | 2.15 | - | - | - | - | 10.2 | 8 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
IFS150V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 150 | 100 | 2.15 | 40 | - | 500 | - | 15 | 13.9 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
IFS200V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 200 | 100 | 2.15 | 40 | - | 500 | - | 21.3 | 20 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
IGP40N65F5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 40 | 100 | 1.6 | 19 | 13 | 160 | 16 | 0.36 | 0.1 | 255 | Нет | -40 ... 175 |
TO-220 |
IGP40N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 40А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 46 | 100 | 1.65 | 22 | 12 | 165 | 13 | 0.39 | 0.12 | 255 | Нет | -40 ... 175 |
TO-220 |
IGW30N65L5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | - | 1.05 | 33 | 11 | 308 | 51 | 0.47 | 1.35 | 227 | Нет | -40 ... 175 |
|
IGW40N65F5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 40 | 100 | 1.6 | 19 | 13 | 160 | 16 | 0.36 | 0.1 | 255 | Нет | -40 ... 175 |
|
IGW40N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 40А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 46 | 100 | 1.65 | 22 | 12 | 165 | 13 | 0.39 | 0.12 | 255 | Нет | -40 ... 175 |
|
IGW50N65F5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 50А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 56 | 100 | 1.6 | 21 | 15 | 175 | 18 | 0.49 | 0.16 | 145 | Нет | -40 ... 175 |
|
IGW50N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 50А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 56 | 100 | 1.65 | 21 | 15 | 180 | 18 | 0.52 | 0.18 | 145 | Нет | -40 ... 175 |
|
IKA08N65F5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 6.8 | 100 | 1.6 | 10 | 5 | 116 | 20 | 0.07 | 0.02 | 31.2 | Да | -40 ... 175 |
|
IKA08N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
![]() |
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 6.8 | 100 | 1.65 | 11 | 5 | 115 | 15 | 0.07 | 0.03 | 31.2 | Да | -40 ... 175 |
|