Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
FGA20S140P Быстродействующий IGBT-транзистор на 1400 В, 20 А Fairchild Semiconductor IGBT
1400 20 100 2.4 20 301 400 130 0.95 1.39 136 Нет -55 ... 175 TO-3PN
FGH15T120SMD IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench Fairchild Semiconductor IGBT
1200 15 100 1.9 32 47 490 12 1.15 0.46 167 Да -55 ... 175 TO-247
FGH25T120SMD IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench Fairchild Semiconductor IGBT
1200 25 100 1.9 40 45 490 12 1.74 0.56 214 Да -55 ... 175 TO-247
FGH40T100SMD IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1000 В, выполненный по технологии Field Stop Trench Fairchild Semiconductor IGBT
1000 40 100 1.9 38 55 371 30 3.1 1.5 166 Да -55 ... 175 TO-247
FGH40T120SMD IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench Fairchild Semiconductor IGBT
1200 40 100 1.9 40 47 475 10 2.7 1.1 277 Да -55 ... 175 TO-247
FGH75T65SQD IGBT-транзистор на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения, 650 В, 75 А Fairchild Semiconductor IGBT
650 75 100 2.1 23 10 120 7 300 70 375 Да -55 ... 175 TO-247
FGY120T65S_F085 IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом Fairchild Semiconductor IGBT
650 220 100 1.85 53 134 102 115 6.8 3.5 862 Да -55 ... 175 TO-247
GT40QR21 Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А Toshiba IGBT
1200 40 25 1.5 0.00018 0.00012 0.0004 0.0002 - 0.16 230 Да -55 ... 175 TO-3P
IFS100V12PT4 IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ Infineon Technologies IGBT
1200 100 100 2.15 - - - - 10.2 8 - Нет -40 ... 65 EconoPACK™ 4
IFS150V12PT4 IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ Infineon Technologies IGBT
1200 150 100 2.15 40 - 500 - 15 13.9 - Нет -40 ... 65 EconoPACK™ 4
IFS200V12PT4 IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ Infineon Technologies IGBT
1200 200 100 2.15 40 - 500 - 21.3 20 - Нет -40 ... 65 EconoPACK™ 4
IGP40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 40 100 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Нет -40 ... 175 TO-220
IGP40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 40А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 46 100 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Нет -40 ... 175 TO-220
IGW30N65L5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 30 - 1.05 33 11 308 51 0.47 1.35 227 Нет -40 ... 175 TO-247
IGW40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 40 100 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Нет -40 ... 175 TO-247
IGW40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 40А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 46 100 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Нет -40 ... 175 TO-247
IGW50N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 50А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 56 100 1.6 21 15 175 18 0.49 0.16 145 Нет -40 ... 175 TO-247
IGW50N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 50А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 56 100 1.65 21 15 180 18 0.52 0.18 145 Нет -40 ... 175 TO-247
IKA08N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 6.8 100 1.6 10 5 116 20 0.07 0.02 31.2 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKA08N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 6.8 100 1.65 11 5 115 15 0.07 0.03 31.2 Да -40 ... 175 TO-220FP
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:


XIII Международная специализированная выставка
Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-Урал 2017