Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STGD3HF60WD | Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 3 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | - | 100 | 1.8 | - | - | - | - | - | - | - | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
| IXGH2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 2.6 | 26 | 89 | 74 | 204 | - | - | 32 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBH2N250 | Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 2А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 3.15 | 30 | 280 | 74 | 178 | - | - | 32 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBT2N250 | Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 2А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 3.15 | 30 | 280 | 74 | 178 | - | - | 32 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGY2N120 | IGBT-транзистор, 1200 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 2 | 90 | 3.8 | 15 | 30 | 500000 | 500 | - | 1.2 | 25 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGP2N100A | IGBT-транзистор, 1000 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 2 | 90 | 2.7 | 15 | 25 | 400 | 360 | 0.3 | 0.5 | 25 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
| IXGP2N100 | IGBT-транзистор, 1000 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 2 | 90 | 2.7 | 15 | 25 | 400 | 800 | 0.3 | 1 | 25 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
| IXGT2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 2.6 | 26 | 89 | 74 | 204 | - | - | 32 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGR6N170A | IGBT-транзистор, 1700 В, 5.5А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 2.5 | 110 | 7 | 48 | 43 | 230 | 41 | 0.62 | 0.25 | 50 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGB3NB60SD | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 3 | 100 | 1.5 | 125 | 150 | 3400 | 720 | 1100 | 1.15 | 70 | Да | -60 ... -175 |
D2-PAK |
| STGD3NB60SD | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 3 | 100 | 1.5 | 125000 | 150000 | - | 720 | 1100 | 1.15 | 48 | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
| STGFL6NC60DI | Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 3 | 100 | 2.9 | 6.7 | 3.7 | 46 | 47 | 32 | 24 | 22 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGFL6NC60D | Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 3 | 100 | 2.9 | 6.7 | 3.7 | 46 | 47 | 46.5 | 23.5 | 22 | Да | -55 ... -150 |
|
| IXGT6N170A | IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 3 | 110 | 7 | 48 | 43 | 230 | 41 | 0.62 | 0.25 | 75 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH6N170A | IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 3 | 110 | 7 | 48 | 43 | 230 | 41 | 0.62 | 0.25 | 75 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGF6NC60HD | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 3 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 20 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGF3NC120HD | N-канальный скоростной IGBT-транзистор на 1200 В, 3 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
1200 | 3 | 100 | 2.8 | 15 | 3.5 | 118 | 250 | 236 | 290 | 25 | Да | -55 ... -150 |
|
| IXBP5N160G | Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1600 | 3.5 | 90 | 4.9 | 140 | 200 | 120 | 70 | - | - | 68 | Да | -55 ... 150 |
TO-220AB |
| IXBH5N160G | Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1600 | 3.5 | 90 | 4.9 | 140 | 200 | 120 | 70 | - | - | 68 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF9N160G | Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1600 | 4 | 90 | 4.9 | 140 | 200 | 120 | 70 | - | - | 70 | Нет | -55 ... 150 |
|
