Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGD3HF60HD 4.5 А, 600 В высокоскоростной IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом STMicroelectronics IGBT
600 4.5 100 2.95 11 4 60 50 19 12 38 Да -55 ... 150 DPAK-3
STGB10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 65 Да -55 ... 150 D2-PAK
STGP10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 65 Да -55 ... 150 TO-220
STGD10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 62 Да -55 ... 150 D-PAK
STGF10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 6 100 1.8 17 6 72 82 55 85 25 Да -55 ... 150 TO-220FP
STGB10NB60S 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.25 700 460 - 1200 0.6 5 80 Нет -55 ... 150 D2-PAK
STGP10NB60SFP 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.25 700 460 - 1200 0.6 5 25 Нет -55 ... 150 TO-220FP
STGP10NB60S 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.25 700 460 - 1200 0.6 5 80 Нет -55 ... 150 TO-220
STGD10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 D-PAK
STGB10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 D2-PAK
STGP10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 TO-220
STGB14NC60K 600 В, 14 А, IGBT-транзистор семейcтва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 22.5 8.5 116 75 82 155 80 Нет -55 ... -150 D2-PAK
STGD14NC60K 600 В, 14 А, IGBT-транзистор семейcтва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 22.5 8.5 116 75 82 155 80 Нет -55 ... -150 D-PAK
IXGX120N60C2 IGBIGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
600 120 110 2.1 40 60 165 92 2.1 1.24 830 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGR120N60B IGBIGBT-транзистор, 600 В, 156А IXYS IGBT
600 102 110 2.1 60 60 290 250 4.8 8.7 520 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGH56N60A3 IGBIGBT-транзистор, 600 В, 56А IXYS IGBT
600 56 110 1.22 24 42 495 415 2 6.75 330 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH56N60B3 IGBIGBT-транзистор, 600 В, 56А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 56 110 1.49 26 37 220 165 2.34 2.2 330 Нет -55 ... 150 TO-247
IXRA15N120 IGBT транзистор ±1200В, 25А, блокировка напряжения обратной полярности IXYS IGBT
1200 15 90 2.5 22 18 210 32 1.1 0.13 300 Да -55 ... 150 TO-263AB
IXRP15N120 IGBT транзистор ±1200В, 25А, блокировка напряжения обратной полярности IXYS IGBT
1200 15 90 2.5 22 18 210 32 1.1 0.13 300 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXRH40N120 IGBT транзистор ±1200В, 55А, блокировка напряжения обратной полярности IXYS IGBT
1200 35 90 2.3 31 54 184 24 3 0.7 300 Да -55 ... 150 TO-247AD
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019