Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| T0900DF65A | Press-Pack IGBT транзистор |
|
IXYS |
IGBT |
6500 | 900 | 25 | 3.6 | 1600 | 3100 | 4500 | 2300 | 6500 | 5300 | 10600 | Да | -40 ... 125 | - |
| T0258HF65G | Press-Pack IGBT транзистор |
|
IXYS |
IGBT |
6500 | 258 | 25 | 3.6 | 1700 | 3500 | 5000 | 2200 | 1800 | 1450 | 3000 | Да | -40 ... 125 | - |
| T2400GB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 2400 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 2400 | - | 2.8 | 1700 | 3800 | 6000 | 1900 | 15000 | 14000 | 19000 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
| T1800GB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1800 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 1800 | - | 2.8 | 1600 | 3300 | 4000 | 2000 | 12600 | 9500 | 13700 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
| T1600GB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1600 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 1600 | - | 2.75 | 2200 | 4400 | 5100 | 2300 | 14000 | 8700 | 12800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
| T1200EB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1200 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 1200 | - | 2.8 | 1800 | 3000 | 1600 | 2200 | 5700 | 5100 | 12500 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T0900EB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 900 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 900 | - | 3.05 | 2400 | 3200 | 1900 | 2400 | 3800 | 3600 | 7100 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T0800EB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 800 | - | 2.8 | 2000 | 3000 | 1600 | 2100 | 4100 | 4500 | 6600 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T0800TB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 800 | - | 2.8 | 2000 | 4000 | 4500 | 2100 | 7000 | 4300 | 6400 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T0600TB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 600 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 600 | - | 2.9 | 1400 | 2100 | 1200 | 1500 | 1800 | 2000 | 4800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T0340VB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 340 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 340 | - | 2.8 | 3700 | 3600 | 1800 | 2200 | 2400 | 1300 | 2750 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W67 |
| IXEL40N400 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 4000 В, 40А |
|
IXYS |
IGBT |
4000 | 40 | 90 | 2.5 | 155 | 105 | 715 | 455 | 85 | 205 | 380 | Нет | -40 ... 125 |
|
| IXGF30N400 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 4000 В, 30А |
|
IXYS |
IGBT |
4000 | 15 | 110 | 3.1 | 55 | 146 | 210 | 514 | - | - | 160 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBH20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 20 | 110 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF32N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 22А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 22 | 90 | 2.8 | 58 | 515 | 165 | 630 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBT12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBH12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 15 | 90 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 110 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| MMIX4B12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
