Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGA8N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 16А

 

Блок-схема

IXGA8N100, IGBT-транзистор, 1000 В, 16А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1000
Рабочий ток: IC,А 8
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 2.2
td(on) (тип.),нс 15
tr (тип.),нс 30
td(off) (тип.),нс 800
tf (тип.),нс 630
EON (тип.),мДж 0.5
EOFF (тип.),мДж 3.7
PD,Вт 54
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-263
Datasheet
 
IXGx8N100 (554.4 Кб), 14.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx8N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 16А (554.4 Кб), 14.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 618 		Дата публикации: 14.02.2012 13:58
Дата редактирования: 14.02.2012 13:58

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники