Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IRG7PH35U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
 1200 35 100 1.9 30 15 160 80 1.8 1.14 210 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IRG7PH42U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
 1200 60 100 1.7 25 32 229 63 3.186 2.153 385 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IRG7PH46U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF) IGBT
 1200 75 100 1.7 45 40 410 45 2.56 1.78 469 Нет -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IXGH50N90B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 75А, быстрый диод IXYS IGBT
 900 50 110 2.2 20 28 400 420 1.5 8.7 400 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGK50N90B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 75А, быстрый диод IXYS IGBT
 900 50 110 2.2 20 28 400 420 1.5 8.7 400 Да -55 ... 150 TO-264
IXGX50N90B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 75А, быстрый диод IXYS IGBT
 900 50 110 2.2 20 28 400 420 1.5 8.7 400 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGH50N90B2 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 75А IXYS IGBT
 900 50 110 2.2 20 28 400 420 0.7 8.7 400 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGT50N90B2 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 75А IXYS IGBT
 900 50 110 2.2 20 28 400 420 0.7 8.7 400 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH32N90B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 64А, ультрабыстры диод IXYS IGBT
 900 32 110 2.2 20 22 360 330 3.8 5.75 300 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGT32N90B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 64А, ультрабыстры диод IXYS IGBT
 900 32 110 2.2 20 22 360 330 3.8 5.75 300 Да -55 ... 150 TO-268
IXSN50N60BD2 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 50 90 2.2 70 70 230 230 2.5 4.8 250 Да -40 ... 150 SOT-227 B
IXSN50N60BD3 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 50 90 2.2 70 70 230 230 2.5 4.8 250 Да -40 ... 150 SOT-227 B
IXSH40N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.2 55 170 190 180 1.7 2 280 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXST40N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.2 55 170 190 180 1.7 2 280 Нет -55 ... 150 TO-268
IXSH50N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 50 90 2.2 70 70 230 230 0.6 4.8 250 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGR40N60B2 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 33 110 1.9 18 20 240 150 0.3 1.1 167 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR40N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 33 110 1.9 18 20 240 150 0.3 1.1 167 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGH30N60BU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 30 110 1.8 25 35 200 230 1 2.5 200 Да -55 ... 150 TO-247
IXGT30N60BU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 30 110 1.8 25 35 200 230 1 2.5 200 Да -55 ... 150 TO-268
IXST30N60CD1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 55А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 30 90 2.5 35 35 150 140 0.5 1.2 200 Да -55 ... 150 TO-268
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники