Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
STGW20NC60V | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 30 | 100 | 2.5 | 31 | 11 | 100 | 75 | 220 | 330 | 200 | Нет | -55 ... -150 |
|
|
STGD10NC60HD | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | - | 2.5 | - | - | - | - | - | - | 62 | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
|
STGF100N30 | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А | STMicroelectronics |
IGBT |
330 | 10 | 100 | 2.6 | - | - | 135 | 57 | - | - | 40 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
STGP100N30 | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А | STMicroelectronics |
IGBT |
330 | 45 | 100 | 2.6 | - | - | 134 | 57 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
|
STGW100N30 | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А | STMicroelectronics |
IGBT |
330 | 45 | 100 | 2.6 | - | - | 134 | 57 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
STGWS38IH130D | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А | STMicroelectronics |
IGBT |
1300 | 25 | - | 2.8 | - | - | - | - | - | - | 180 | Да | -55 ... -150 |
|
|
STGW38IH130D | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А | STMicroelectronics |
IGBT |
1300 | 33 | 100 | 2.8 | - | - | 284 | 180 | - | 3.4 | 250 | Да | -55 ... -150 |
|
|
STGW35NC120HD | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1200 В, 32 А | STMicroelectronics |
IGBT |
1200 | 32 | 100 | 2.75 | 29 | 11 | 275 | 312 | 1660 | 4438 | 235 | Да | -55 ... -150 |
|
|
IXBK55N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 55А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 55 | 110 | 2.7 | 52 | 585 | 215 | 260 | - | - | 625 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBX55N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 55А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 55 | 110 | 2.7 | 52 | 585 | 215 | 260 | - | - | 625 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBH32N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 32 | 110 | 2.8 | 58 | 515 | 165 | 630 | - | - | 400 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBT32N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 32 | 110 | 2.8 | 58 | 515 | 165 | 630 | - | - | 400 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBF55N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 28А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 28 | 110 | 2.7 | 52 | 585 | 215 | 260 | - | - | 290 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBF32N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 22А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 22 | 90 | 2.8 | 58 | 515 | 165 | 630 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBH20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 20 | 110 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBT20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 20 | 110 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBF20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 15 | 90 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 110 | Да | -55 ... 150 |
|
|
MMIX4B12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBF12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXBH12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|