Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGW20NC60V Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
600 30 100 2.5 31 11 100 75 220 330 200 Нет -55 ... -150 TO-247
STGD10NC60HD Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
600 10 - 2.5 - - - - - - 62 Да -55 ... -150 D-PAK
STGF100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
330 10 100 2.6 - - 135 57 - - 40 Нет -55 ... 150 TO-220FP
STGP100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
330 45 100 2.6 - - 134 57 - - 250 Нет -55 ... 150 TO-220
STGW100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
330 45 100 2.6 - - 134 57 - - 250 Нет -55 ... 150 TO-247
STGWS38IH130D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А STMicroelectronics IGBT
1300 25 - 2.8 - - - - - - 180 Да -55 ... -150 TO-247
STGW38IH130D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А STMicroelectronics IGBT
1300 33 100 2.8 - - 284 180 - 3.4 250 Да -55 ... -150 TO-247
STGW35NC120HD Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1200 В, 32 А STMicroelectronics IGBT
1200 32 100 2.75 29 11 275 312 1660 4438 235 Да -55 ... -150 TO-247
IXBK55N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 55А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 55 110 2.7 52 585 215 260 - - 625 Да -55 ... 150 TO-264
IXBX55N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 55А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 55 110 2.7 52 585 215 260 - - 625 Да -55 ... 150 PLUS247
IXBH32N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 32 110 2.8 58 515 165 630 - - 400 Да -55 ... 150 TO-247
IXBT32N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 32 110 2.8 58 515 165 630 - - 400 Да -55 ... 150 TO-268
IXBF55N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 28А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 28 110 2.7 52 585 215 260 - - 290 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXBF32N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 22А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 22 90 2.8 58 515 165 630 - - 160 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXBH20N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 20 110 2.7 68 540 300 395 - - 250 Да -55 ... 150 TO-247
IXBT20N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 20 110 2.7 68 540 300 395 - - 250 Да -55 ... 150 TO-268
IXBF20N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 15 90 2.7 68 540 300 395 - - 110 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
MMIX4B12N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 12 90 2.8 65 395 175 530 - - 100 Да -55 ... 150 SMD
IXBF12N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 12 90 2.8 65 395 175 530 - - 100 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXBH12N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
3000 12 110 2.8 65 395 175 530 - - 160 Да -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019