Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STGW45HF60WD | Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 45 | 100 | 1.9 | - | - | - | - | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGW45HF60WDI | Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 50 | 100 | 1.9 | - | - | - | - | - | - | 310 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGW35HF60WD | Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 35А, 600В |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 35 | 100 | 1.65 | 30 | 15 | 175 | 40 | 290 | 185 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGW35HF60WDI | Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 35А, 600В |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 40 | 100 | 1.65 | 30 | 15 | 175 | 40 | 185 | 350 | 260 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGY50NC60WD | Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 50 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 50 | 100 | 2.6 | 52 | 17 | 240 | 35 | 365 | 560 | 278 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGW45NC60WD | Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 45 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 45 | 100 | 2.6 | 33 | 12 | 168 | 36 | 302 | 349 | 285 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGW40NC60W | Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 40 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 40 | 100 | 2.5 | 33 | 12 | 168 | 36 | 302 | 349 | 250 | Нет | -55 ... -150 |
|
| STGW40NC60WD | Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 40 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 40 | 100 | 2.5 | 33 | 12 | 168 | 36 | 302 | 349 | 250 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGP30NC60S | Скоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 35 | 100 | 1.9 | 21.5 | 8.5 | 180 | 200 | 300 | 1275 | 175 | Нет | -55 ... -150 |
TO-220 |
| STGF30NC60S | Скоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 11 | 100 | 1.9 | 21.5 | 8.5 | 180 | 200 | 300 | 1275 | 40 | Нет | -55 ... -150 |
|
| GT40QR21 | Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А |
|
Toshiba |
IGBT |
1200 | 40 | 25 | 1.5 | 0.00018 | 0.00012 | 0.0004 | 0.0002 | - | 0.16 | 230 | Да | -55 ... 175 |
|
| STGB10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 65 | Да | -55 ... 150 |
D2-PAK |
| STGD10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 62 | Да | -55 ... 150 |
D-PAK |
| STGF10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 6 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 24 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGP10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 65 | Да | -55 ... 150 |
TO-220 |
| IRG7PSH50UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 70 | 100 | 1.7 | 35 | 40 | 430 | 45 | 3.6 | 2.2 | 556 | Да | -55 ... 150 |
|
| IRG7PH35UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 35 | 100 | 1.9 | 30 | 15 | 160 | 80 | 1.75 | 1.12 | 180 | Да | -55 ... 175 |
TO-247AC |
| IRG7PH42UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 45 | 100 | 1.7 | 25 | 32 | 229 | 63 | 2.978 | 1.968 | 320 | Да | -55 ... 150 |
TO-247AC |
| IRG7PH46UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 57 | 100 | 1.7 | 45 | 40 | 410 | 45 | 2.61 | 1.845 | 390 | Да | -55 ... 150 |
TO-247AC |
| IRG7PH50U | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 90 | 100 | 1.7 | 35 | 40 | 430 | 45 | 3.6 | 2.2 | 556 | Нет | -55 ... 175 |
TO-247AC |
