IRG7PH42U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В
Блок-схема Группа компонентов IGBTОсновные параметры
Общее описаниеСемейство сверхбыстродействующих биполярных транзисторов с изолированным затвором на 1200В на базе тонкопленочной технологии Field-Stop Trench, которая дает возможность существенно снизить потери на переключение и электропроводность диэлектрика, и таким образом достичь повышения эффективности на высоких рабочих частотах. Транзисторы работают в широком диапазоне частот и могут применяться в широком спектре приложений. К достоинствам предложенных транзисторов также относятся устойчивость к кратковременным броскам напряжения и возможность параллельного включения нескольких устройств. Отличительные особенности:
Области применения:
|
|
Datasheet
IRG7PH42U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В (397.5 Кб), 20.03.2012
Автор документа: Варламов,
|
Дата публикации: 20.03.2012 07:39 Дата редактирования: 20.03.2012 07:52 |