Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXSN50N60BD3 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания

 

Блок-схема

IXSN50N60BD3, Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 50
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 2.2
td(on) (тип.),нс 70
tr (тип.),нс 70
td(off) (тип.),нс 230
tf (тип.),нс 230
EON (тип.),мДж 2.5
EOFF (тип.),мДж 4.8
PD,Вт 250
FWD Да
TA,°C от -40 до 150
Корпус SOT-227 B
Datasheet
 
IXSN50N60BDx (134.8 Кб), 16.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXSN50N60BDx Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания (134.8 Кб), 16.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 509 		Дата публикации: 16.02.2012 16:13
Дата редактирования: 16.02.2012 16:18

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники