Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGH32N90B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 64А, ультрабыстры диод

 

Блок-схема

IXGH32N90B2D1, Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 64А, ультрабыстры диод

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 900
Рабочий ток: IC,А 32
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 2.2
td(on) (тип.),нс 20
tr (тип.),нс 22
td(off) (тип.),нс 360
tf (тип.),нс 330
EON (тип.),мДж 3.8
EOFF (тип.),мДж 5.75
PD,Вт 300
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247AD
Datasheet
 
IXGx32N90B2D1 (219.9 Кб), 14.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx32N90B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 64А, ультрабыстры диод (219.9 Кб), 14.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 601 		Дата публикации: 14.02.2012 13:31
Дата редактирования: 14.02.2012 13:35

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники