Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXBH10N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 10 90 3.4 35 28 600 1200 0.7 8 140 Да -55 ... 150 TO-247
IXDA20N120AS IGBT-транзистор, 1200 В, 38А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 25 90 2.4 100 75 500 70 3.1 2.4 200 Нет -55 ... 150 TO-263
IXSH40N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.2 55 170 190 180 1.7 2 280 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGA12N60B IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.15 0.8 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXBF20N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 15 90 2.7 68 540 300 395 - - 110 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGH25N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 25 90 3 100 250 720 1200 4.2 15 200 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGT24N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 16 90 4.5 23 31 360 96 3.6 1.47 250 Нет -55 ... 150 TO-268
IXSH45N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 45 90 2.5 38 29 440 700 2.9 22 300 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH20N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 40А IXYS IGBT
 1000 20 90 2.2 30 30 700 520 0.65 6.5 150 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXSH24N60 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 24А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 24 90 2.2 100 200 475 600 1.2 4 150 Нет -55 ... 150 TO-247
IXBT6N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 6 90 2.84 35 69 100 600 - - 75 Да -55 ... 150 TO-268
IXDH20N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 38А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 25 90 2.4 100 75 500 70 3.1 2.4 200 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXSX50N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 50 90 2.2 70 70 230 230 2.5 4.8 300 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGP20N60B IGBT-транзистор, 600 В, 40 А IXYS IGBT
 600 20 90 1.7 15 35 220 140 0.15 1.2 150 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXBF12N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 12 90 2.8 65 395 175 530 - - 100 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGT24N170AH1 IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 16 90 4.5 23 31 360 96 3.6 1.47 250 Да -55 ... 150 TO-268
IXXX100N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 695 Да -55 ... 150 PLUS247
IXST45N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 45 90 2.5 38 29 440 700 2.9 22 300 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH17N100AU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 34А IXYS IGBT
 1000 17 90 4 100 200 770 1200 2.5 6 150 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXSP24N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 48А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 24 90 2.5 55 75 190 280 1.2 2.4 150 Нет -55 ... 150 TO-220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники