Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXSK35N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 35 90 3.6 38 29 240 340 6 9 300 Да -55 ... 150 TO-264AA
IXGP15N100C IGBT-транзистор, 1000 В, 30А IXYS IGBT
 1000 15 90 3.5 25 18 220 210 0.6 1.85 150 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGH45N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 75А IXYS IGBT
 1200 45 90 3.5 64 32 660 740 3 25 300 Нет -55 ... 150 TO-247
IXSH24N60AU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 48А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 24 90 2.7 100 200 475 450 1.8 3 150 Да -55 ... 150 TO-247
IXBP5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 3.5 90 4.9 140 200 120 70 - - 68 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGH15N120CD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.8 25 18 270 250 1.5 2.1 150 Да -55 ... 150 TO-247
IXDH35N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 600 35 90 2.2 30 45 320 70 1.6 0.8 250 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXSK50N60BU1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 50 90 2.2 70 70 230 230 2.5 4.8 300 Да -55 ... 150 TO-264AA
IXGX12N90C IGBT-транзистор, 900 В, 24А IXYS IGBT
 900 12 90 3 20 20 200 150 0.15 0.7 100 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXBX25N250 Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 25А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 2500 25 90 3.3 54 640 140 510 - - 300 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGT16N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 16А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 11 90 4 38 59 175 155 1.5 2 190 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH39N60B IGBT-транзистор, 600 В, 76А - IXYS IGBT
 600 39 90 1.7 25 30 360 350 0.3 6 200 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXSX35N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 35 90 3.6 38 29 240 340 6 9 300 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGA15N100C IGBT-транзистор, 1000 В, 30А IXYS IGBT
 1000 15 90 3.5 25 18 220 210 0.6 1.85 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXSH24N60U1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 48А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 24 90 2.2 100 200 475 600 1.8 4 150 Да -55 ... 150 TO-247
IXGN200N60B IGBT-транзистор, 600 В, 200А IXYS IGBT
 600 120 90 2.1 60 60 290 250 4.8 8.7 600 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXBH5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 3.5 90 4.9 140 200 120 70 - - 68 Да -55 ... 150 TO-247
IXGP15N120B2 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 10...25 кГц IXYS IGBT
 1200 15 90 3.5 25 18 260 305 0.6 2.8 170 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXDH35N60B IGBT-транзистор, 600 В, 60А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 600 35 90 2.2 30 45 320 70 1.6 0.8 250 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N90C IGBT-транзистор, 900 В, 24А IXYS IGBT
 900 12 90 3 20 20 200 150 0.15 0.7 100 Нет -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники