Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGH25N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А

 

Блок-схема

IXGH25N120, IGBT-транзистор, 1200 В, 50А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 25
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 3
td(on) (тип.),нс 100
tr (тип.),нс 250
td(off) (тип.),нс 720
tf (тип.),нс 1200
EON (тип.),мДж 4.2
EOFF (тип.),мДж 15
PD,Вт 200
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247AD
Datasheet
 
IXGH25N120 (45.9 Кб), 15.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGH25N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А (45.9 Кб), 15.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 668 		Дата публикации: 15.02.2012 11:21
Дата редактирования: 15.02.2012 11:23

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники