Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXBH16N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 10 90 6 15 28 220 150 2 2.6 150 Да -55 ... 150 TO-247
IXGT15N120C IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.8 25 18 220 250 0.6 2.1 150 Нет -55 ... 150 TO-268
IXDR30N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 30 90 2.4 100 70 500 70 4.6 3.4 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXSH50N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 50 90 2.2 70 70 230 230 0.6 4.8 250 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGA12N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.5 0.27 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGR32N170AH1 IGBT-транзистор, 1700 В, 26А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 14 90 4.2 48 59 300 70 5 2.4 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXSH35N140A IGBT-транзистор, 1400 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1400 35 90 3.4 40 65 240 400 4 9.5 300 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGA20N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 20А IXYS IGBT
 1000 20 90 2.1 37 125 80 1550 - - 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGT32N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 60 А IXYS IGBT
 600 32 90 2.1 25 25 110 100 1 0.85 200 Да -55 ... 150 TO-268
IXSH24N60A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 24А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 24 90 2.7 100 200 475 450 1.2 3 150 Нет -55 ... 150 TO-247
IXBT10N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 10 90 3.4 35 28 600 1200 0.7 8 140 Да -55 ... 150 TO-268
IXGH15N120C IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.8 25 18 220 250 0.6 2.1 150 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXDR30N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 30 90 2.4 100 70 500 70 4.6 3.4 200 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXST40N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.2 55 170 190 180 1.7 2 280 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGP12N60B IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.15 0.8 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGH25N120A IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 25 90 4 100 250 720 800 4.2 15 200 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH24N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 16 90 4.5 23 31 360 96 3.6 1.47 250 Нет -55 ... 150 TO-247
IXSN55N120A IGBT-транзистор, 1200 В, 110А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 55 90 4 140 250 600 900 6 25 500 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGT20N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 40А IXYS IGBT
 1000 20 90 2.2 30 30 700 520 0.65 6.5 150 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGX320N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 320 90 1.4 40 67 330 265 3.5 5.4 1700 Нет -55 ... 150 PLUS247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники