Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXEH25N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 24 90 2.6 205 105 320 175 4.1 1.5 200 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXSK40N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.2 50 50 190 180 2.2 2.6 280 Да -55 ... 150 TO-264AA
IXGP12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.15 0.27 100 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGK60N60 IGBT-транзистор, 600 В, 70А IXYS IGBT
 600 60 90 1.7 50 25 650 550 3 17 300 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGT10N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 10 90 2.7 30 270 135 495 - - 110 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH41N60 IGBT-транзистор, 600 В, 76А IXYS IGBT
 600 41 90 1.6 40 40 800 600 0.3 15 200 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXXX100N60C3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.68 30 65 105 115 3 1.4 695 Да -55 ... 150 PLUS247
IXSH35N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 35 90 3.6 38 29 240 340 2.5 9 300 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH17N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 34А IXYS IGBT
 1000 17 90 3.5 100 200 700 1200 2.5 8 150 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXA70I1200NA IGBT-транзистор, 1200 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 65 90 1.8 70 40 250 100 4.5 5.5 350 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXBF40N160 Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 28А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 16 90 6.2 200 60 300 40 - - 250 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGT15N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.2 25 18 270 360 1.5 3.5 150 Да -55 ... 150 TO-268
IXER20N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 19 90 2.4 205 105 320 75 4.1 1.5 130 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXSX40N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.5 50 50 140 140 2.2 1.7 280 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGA12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.15 0.27 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGH60N60 IGBT-транзистор, 600 В, 70А IXYS IGBT
 600 60 90 1.7 50 25 650 550 3 17 300 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGR16N170AH1 IGBT-транзистор, 1700 В, 16А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 8 90 4.2 38 59 55 200 1.5 1.1 120 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGT39N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 76А - IXYS IGBT
 600 39 90 1.7 25 30 360 350 0.3 6 200 Нет -55 ... 150 TO-268
IXXK100N60C3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.68 30 65 105 115 3 1.4 695 Да -55 ... 150 TO-264
IXST35N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 35 90 3.6 38 29 240 340 2.5 9 300 Нет -55 ... 150 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники