Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGK320N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 320 90 1.4 40 67 330 265 3.5 5.4 1700 Нет -55 ... 150 TO-264
IXBH6N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 6 90 2.84 35 69 100 600 - - 75 Да -55 ... 150 TO-247
IXGP15N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.2 25 18 300 360 0.6 3.5 150 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXDH20N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 38А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 25 90 2.4 100 75 500 70 3.1 2.4 200 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXSK50N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 50 90 2.2 70 70 230 230 2.5 4.8 300 Да -55 ... 150 TO-264AA
IXGA20N60B IGBT-транзистор, 600 В, 40 А IXYS IGBT
 600 20 90 1.7 15 35 220 140 0.15 1.2 150 Нет -55 ... 150 TO-263
MMIX4B12N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 12 90 2.8 65 395 175 530 - - 100 Да -55 ... 150 SMD
IXGH24N170AH1 IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 16 90 4.5 23 31 360 96 3.6 1.47 250 Да -55 ... 150 TO-247
IXXK100N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 695 Да -55 ... 150 TO-264
IXSR35N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 30 90 3.6 38 29 240 340 6 9 250 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGH17N100U1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 34А IXYS IGBT
 1000 17 90 3.5 100 200 700 1200 2.5 8 150 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGA15N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.2 25 18 300 360 0.6 3.5 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXEH25N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 24 90 2.6 205 105 320 175 4.1 1.5 200 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXSX40N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.2 50 50 190 180 2.2 2.6 280 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGH12N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.5 0.27 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGT60N60 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 60 90 1.7 50 25 650 550 3 17 300 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH10N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 10 90 2.7 30 270 135 495 - - 110 Нет -55 ... 150 TO-247
IXSK35N120AU1 IGBT-транзистор, 1200 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 35 90 4 80 150 400 700 8 15 300 Да -55 ... 150 TO-264AA
IXGH17N100A IGBT-транзистор, 1000 В, 34А IXYS IGBT
 1000 17 90 4 100 200 750 1200 2.5 6 150 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXBH40N160 Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 33А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 20 90 6.2 200 60 270 40 - - 350 Да -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники