Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXGT30N120B3D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 28 | 110 | 2.96 | 18 | 38 | 216 | 255 | 6.7 | 5.1 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| NGTB50N60FWG | IGBT транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора до 50 A |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
600 | 50 | 100 | 1.45 | 117 | 43 | 285 | 105 | 1.1 | 1.2 | 223 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGT24N170AH1 | IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 16 | 90 | 4.5 | 23 | 31 | 360 | 96 | 3.6 | 1.47 | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGQ50N60C4D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 36А | - | IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 1.95 | 30 | 45 | 210 | 96 | 1.1 | 0.9 | 290 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXXX100N60B3H1 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 90 | 1.5 | 32 | 60 | 150 | 200 | 2.3 | 2.8 | 695 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGH17N100AU1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 34А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 17 | 90 | 4 | 100 | 200 | 770 | 1200 | 2.5 | 6 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
| IRG7PH35UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 35 | 100 | 1.9 | 30 | 15 | 160 | 80 | 1.75 | 1.12 | 180 | Да | -55 ... 175 |
TO-247AC |
| IXGN60N60C2D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 60 | 110 | 2.1 | 18 | 25 | 130 | 80 | 0.9 | 1.2 | 480 | Да | -55 ... 150 |
|
| NGTB40N120FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 40 А |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
1200 | 40 | 100 | 2.4 | 116 | 42 | 286 | 121 | 3.4 | 1.1 | 267 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXBH6N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 6 | 90 | 2.84 | 35 | 69 | 100 | 600 | - | - | 75 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGT30N60BU1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 30 | 110 | 1.8 | 25 | 35 | 200 | 230 | 1 | 2.5 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGB10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 65 | Да | -55 ... 150 |
D2-PAK |
| STGW40NC60WD | Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 40 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 40 | 100 | 2.5 | 33 | 12 | 168 | 36 | 302 | 349 | 250 | Да | -55 ... -150 |
|
| IXSK50N60BD1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 90 | 2.2 | 70 | 70 | 230 | 230 | 2.5 | 4.8 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| MMIX4B12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGH30N120B3D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 28 | 110 | 2.96 | 18 | 38 | 216 | 255 | 6.7 | 5.1 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| IKW50N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 56 | 100 | 1.65 | 21 | 15 | 180 | 18 | 0.52 | 0.18 | 305 | Да | -40 ... 175 |
|
| IXGH24N170AH1 | IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 16 | 90 | 4.5 | 23 | 31 | 360 | 96 | 3.6 | 1.47 | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGH50N60C4D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 36А | - | IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 1.95 | 30 | 45 | 210 | 96 | 1.1 | 0.9 | 290 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXXK100N60B3H1 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 90 | 1.5 | 32 | 60 | 150 | 200 | 2.3 | 2.8 | 695 | Да | -55 ... 150 |
|
