+ NGTB40N120FL2WG, IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 40 А
 

NGTB40N120FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 40 А

 

Блок-схема

NGTB40N120FL2WG, IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 40 А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES 1200
Рабочий ток: IC 40
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat) 2.4
td(on) (тип.),нс 116
tr (тип.),нс 42
td(off) (тип.),нс 286
tf (тип.),нс 121
EON (тип.),мДж 3.4
EOFF (тип.),мДж 1.1
PD,Вт 267
FWD Да
TA,°C от -55 до 175
Корпус TO-247

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Очень высокая проводимость канала транзистора благодаря технологии Field Stop
  • Максимальная температура перехода TJ = 175°C
  • Наличие быстро восстанавливающегося демпферного диода в некоторых приборах
  • Оптимальная конструкция для работы на высоких частотах переключения
  • Способность выдерживать без повреждения кристалла ток короткого замыкания в течение 5 – 10 мкс
  • Максимальная частота переключения: 10 – 50 кГц (серия FL2), 2 – 20 кГц (серия L2)
  • Конструкция транзистора не содержит свинца

Область применения:

  • Инверторы для управления электродвигателями
  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Промышленные схемы коммутации нагрузки
  • Сварочное оборудование
Datasheet
 
AFT26H160-4S4R3 (410.1 Кб), 27.05.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

AFT26H160-4S4R3 Радиочастотный LDMOS-транзистор (410.1 Кб), 27.05.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1101
Дата публикации: 23.11.2015 12:46
Дата редактирования: 23.11.2015 12:48


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019