Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXXK110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 880 | Да | -55 ... 175 |
|
| STGW45NC60WD | Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 45 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 45 | 100 | 2.6 | 33 | 12 | 168 | 36 | 302 | 349 | 285 | Да | -55 ... -150 |
|
| IXGT32N90B2D1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 64А, ультрабыстры диод |
|
IXYS |
IGBT |
900 | 32 | 110 | 2.2 | 20 | 22 | 360 | 330 | 3.8 | 5.75 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGA12N60B | IGBT-транзистор, 600 В, 24 А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 12 | 90 | 2.1 | 20 | 20 | 200 | 200 | 0.15 | 0.8 | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 15 | 90 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 110 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGK50N60B2D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 110 | 1.6 | 18 | 25 | 290 | 140 | 0.9 | 1.55 | 400 | Да | -55 ... 150 |
|
| NGTB20N135IHR | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1350 В и током коллектора 20 А, выполненный по технологии Field Stop |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
1350 | 20 | 100 | 2.2 | - | - | 245 | 175 | - | 0.6 | 197 | Да | -40 ... 175 |
|
| IXGK50N120C3H1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 50А, частота коммутации 20...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 50 | 100 | 4.2 | 23 | 37 | 170 | 315 | 3 | 2.1 | 460 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGR72N60B3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 40А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 40 | 110 | 1.5 | 29 | 34 | 228 | 142 | 2.7 | 2.2 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGD10NC60SD | Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.65 | 19 | 4 | 160 | 205 | 50 | 290 | 60 | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
| IXYH50N120C3D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 50 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 50 | 110 | 2.5 | 25 | 57 | 274 | 98 | 5.14 | 1.47 | 625 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBT6N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 6 | 90 | 2.84 | 35 | 69 | 100 | 600 | - | - | 75 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGD10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 62 | Да | -55 ... 150 |
D-PAK |
| IXXX110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 880 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXDH20N120D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 38А, низкое напряжение насыщения |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 25 | 90 | 2.4 | 100 | 75 | 500 | 70 | 3.1 | 2.4 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGR50N60C2D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 2.7 | 18 | 25 | 170 | 60 | 1.4 | 0.74 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGW45NC60VD | Быстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 45 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 50 | 100 | 2.4 | 33 | 13 | 178 | 65 | 333 | 537 | 270 | Да | -55 ... -150 |
|
| IXSX50N60BD1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 90 | 2.2 | 70 | 70 | 230 | 230 | 2.5 | 4.8 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGH32N90B2D1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 64А, ультрабыстры диод |
|
IXYS |
IGBT |
900 | 32 | 110 | 2.2 | 20 | 22 | 360 | 330 | 3.8 | 5.75 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
