Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGT30N120B3D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц

 

Блок-схема

IXGT30N120B3D1, IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 28
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 2.96
td(on) (тип.),нс 18
tr (тип.),нс 38
td(off) (тип.),нс 216
tf (тип.),нс 255
EON (тип.),мДж 6.7
EOFF (тип.),мДж 5.1
PD,Вт 300
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-268
Datasheet
 
IXGx30N120B3D1 (216 Кб), 15.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx30N120B3D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц (216 Кб), 15.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 726 		Дата публикации: 15.02.2012 11:19
Дата редактирования: 15.02.2012 11:19

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники