Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
T0258HF65G Press-Pack IGBT транзистор IXYS IGBT
 6500 258 25 3.6 1700 3500 5000 2200 1800 1450 3000 Да -40 ... 125 -
IXGR32N170AH1 IGBT-транзистор, 1700 В, 26А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 14 90 4.2 48 59 300 70 5 2.4 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGT32N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 60 А IXYS IGBT
 600 32 90 2.1 25 25 110 100 1 0.85 200 Да -55 ... 150 TO-268
IXGN50N120C3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А, частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 50 110 4.2 23 37 170 315 3 2.1 460 Да -55 ... 150 SOT-227 B
NGTB30N120FL2WG IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 30 А ON Semiconductor IGBT
 1200 30 100 2.3 98 35 210 130 2.6 0.7 227 Да -55 ... 175 TO-247
IXYB82N120C3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г IXYS IGBT
 1200 82 110 2.75 29 90 200 95 7.45 3.7 1040 Да -55 ... 150 PLUS264
IXBT10N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 10 90 3.4 35 28 600 1200 0.7 8 140 Да -55 ... 150 TO-268
STGP10NC60HD Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.7 14.2 5 72 85 31.8 95 65 Да -55 ... 150 TO-220
IXGH50N90B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 75А, быстрый диод IXYS IGBT
 900 50 110 2.2 20 28 400 420 1.5 8.7 400 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGP12N60B IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.15 0.8 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXBH12N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 12 110 2.8 65 395 175 530 - - 160 Да -55 ... 150 TO-247
IXGX50N60B2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 50 110 1.6 18 25 290 140 0.9 1.55 400 Да -55 ... 150 PLUS247
NGTB15N120IHLWG IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, выполненный по технологии FieldStop 1, для индукционных нагревателей ON Semiconductor IGBT
 1200 15 100 2.2 165 200 180 260 0.56 0.95 156 Да -55 ... 150 TO-247
IRG7PH42UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF) IGBT
 1200 45 100 1.7 25 32 229 63 2.978 1.968 320 Да -55 ... 150 TO-247AC
TO-247AD
IXGX50N120C3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А, частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 50 100 4.2 23 37 170 315 3 2.1 460 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGR72N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 40А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 40 110 1.5 29 34 228 142 2.7 2.2 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
STGF10NC60SD Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 600 5 100 1.65 19 4 160 205 50 290 25 Да -55 ... -150 TO-220FP
IXBH10N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 10 90 3.4 35 28 600 1200 0.7 8 140 Да -55 ... 150 TO-247
IXGR50N60B2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 68А IXYS IGBT
 600 36 110 1.8 18 25 290 140 0.9 1.55 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
STGF10NC60HD Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 600 6 100 1.7 14.2 5 72 85 31.8 95 24 Да -55 ... 150 TO-220FP
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники