+ NGTB50N60FWG, IGBT транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора до 50 A

Главная » Документация » Дискретные компоненты » Транзисторы » IGBT

NGTB50N60FWG IGBT транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора до 50 A

Блок-схема

NGTB50N60FWG, IGBT транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора до 50 A

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

V_CES,В	600
Рабочий ток: I_C,А	50
Рабочий ток: При T_C,°C	100
V_CE(sat),В	1.45
t_d(on) (тип.),нс	117
t_r (тип.),нс	43
t_d(off) (тип.),нс	285
t_f (тип.),нс	105
E_ON (тип.),мДж	1.1
E_OFF (тип.),мДж	1.2
P_D,Вт	223
FWD	Да
T_A,°C	от -55 до 150
Корпус	TO-247

Общее описание

Отличительные особенности:

Сверхнизкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер V_CEsat
Снижает рассеиваемую мощность системы
Минимальные потери на переключение
Встроенный быстровосстанавливающийся шунтирующий диод
Выдерживает режим короткого замыкания в схеме в течение 5 мкс

Область применения:

Солнечные инверторы
Управление электродвигателями
Бесперебойные источники питания (UPS)

Datasheet

NGTB50N60FWG (177.9 Кб), 13.03.2014

Производитель

ON Semiconductor

Где купить

Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

NGTB50N60FWG IGBT транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора до 50 A (177.9 Кб), 13.03.2014

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 783

Дата публикации: 13.03.2014 14:30
Дата редактирования: 13.03.2014 14:33

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019