IXYY8N90C3 IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц

 

Блок-схема

IXYY8N90C3, IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES 900
Рабочий ток: IC 8
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat) 2.15
td(on) (тип.),нс 17
tr (тип.),нс 22
td(off) (тип.),нс 75
tf (тип.),нс 163
EON (тип.),мДж 1
EOFF (тип.),мДж 0.22
PD,Вт 120
FWD Нет
TA,°C от -55 до 175
Корпус TO-252
Datasheet
 
IXYx8N90C3 (180.6 Кб), 09.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXYx8N90C3 IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц (180.6 Кб), 09.02.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 697
Дата публикации: 09.02.2012 12:20
Дата редактирования: 09.02.2012 12:26


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019