Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 44 45 46 47 48 49 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGK320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
 600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGN400N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 430А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.25 50 50 295 225 4.4 4.25 1000 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGK400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
MMIX1G320N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 180 110 1.2 40 68 330 265 3.5 5.4 1000 Нет -55 ... 150 SMD
IXYH82N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г IXYS IGBT
 1200 82 110 2.75 29 90 200 95 7.45 3.7 1040 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXYB82N120C3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г IXYS IGBT
 1200 82 110 2.75 29 90 200 95 7.45 3.7 1040 Да -55 ... 150 PLUS264
IXBK75N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 75А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 75 110 2.6 47 230 260 580 - - 1040 Да -55 ... 150 TO-264
IXBX75N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 75А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 75 110 2.6 47 230 260 580 - - 1040 Да -55 ... 150 PLUS247
IXBK75N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 65А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 65 90 4.95 27 38 420 175 - 6.35 1040 Да -55 ... 150 TO-264
IXBX75N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 65А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 65 90 4.95 27 38 420 175 - 6.35 1040 Да -55 ... 150 PLUS247
IXXK200N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 200 110 1.7 62 76 245 80 4.4 2.2 1150 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXX200N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 200 110 1.7 62 76 245 80 4.4 2.2 1150 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXGB200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.35 42 80 430 300 2.4 4.2 1250 Нет -55 ... 150 PLUS264
IXGX82N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А IXYS IGBT
 1200 82 110 1.83 32 77 340 1250 6.7 22.5 1250 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK82N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А IXYS IGBT
 1200 82 110 1.83 32 77 340 1250 6.7 22.5 1250 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX82N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 82 110 2.7 32 80 240 520 6.8 7.1 1250 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK82N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 82 110 2.7 32 80 240 520 6.8 7.1 1250 Нет -55 ... 150 TO-264
IXYX120N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 120 110 3.5 37 70 167 90 6.2 4.2 1500 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXYK120N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 120 110 3.5 37 70 167 90 6.2 4.2 1500 Нет -55 ... 175 TO-264
Страницы: предыдущая 1 ... 44 45 46 47 48 49 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники