Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IXGN200N60A2 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, оптимизированный для частоты коммутации выше 5кГц IXYS IGBT
600 100 110 1.2 60 60 290 660 3 12 700 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 170 110 1.05 62 77 330 1540 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXBX64N250 Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 64А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
2500 64 100 2.5 54 578 222 175 - - 735 Да -55 ... 150 PLUS247
IXBK64N250 Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 64А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
2500 64 100 2.5 54 578 222 175 - - 735 Да -55 ... 150 TO-264
IXGN100N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 95А, технология NPT IXYS IGBT
1700 95 90 2.5 35 250 285 435 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXXN110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXXN110N65C4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXXH75N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц IXYS IGBT
600 75 110 1.6 36 72 145 170 2.6 2.2 750 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXXH75N60B3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц IXYS IGBT
600 75 110 1.6 36 72 145 170 2.6 2.2 750 Да -55 ... 175 TO-247AD
IXXH75N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
600 75 110 1.85 33 72 105 80 2.5 1.07 750 Да -55 ... 175 TO-247AD
IXXH75N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
600 50 110 1.85 33 72 105 80 2.5 1.08 750 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IRGPS4067D Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда International Rectifier (IRF) IGBT
600 160 100 1.7 80 70 190 40 5.75 3.43 750 Да -55 ... 175 TO-274AA
IXGX120N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 120 110 1.5 38 85 290 230 4 4.7 780 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK120N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 120 110 1.5 38 85 290 230 4 4.7 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX120N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 780 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK120N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX75N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 75А IXYS IGBT
2500 75 110 2.7 55 225 270 455 - - 780 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK75N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 75А IXYS IGBT
2500 75 110 2.7 55 225 270 455 - - 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXXH100N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
600 100 110 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 830 Нет -55 ... 175 TO-247AD




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019