IXYH82N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г

 

Блок-схема

IXYH82N120C3, IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES 1200
Рабочий ток: IC 82
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat) 2.75
td(on) (тип.),нс 29
tr (тип.),нс 90
td(off) (тип.),нс 200
tf (тип.),нс 95
EON (тип.),мДж 7.45
EOFF (тип.),мДж 3.7
PD,Вт 1040
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247AD
Datasheet
 
IXYH82N120C3 (167.7 Кб), 09.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXYH82N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц (167.7 Кб), 09.02.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 767
Дата публикации: 09.02.2012 14:04
Дата редактирования: 09.02.2012 14:05


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019