Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGK82N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А, частота коммутации 3...20 кГц

 

Блок-схема

IXGK82N120B3, IGBT-транзистор, 1200 В, 82А, частота коммутации 3...20 кГц

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 82
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 2.7
td(on) (тип.),нс 32
tr (тип.),нс 80
td(off) (тип.),нс 240
tf (тип.),нс 520
EON (тип.),мДж 6.8
EOFF (тип.),мДж 7.1
PD,Вт 1250
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-264
Datasheet
 
IXGx82N120B3 (220.1 Кб), 15.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx82N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А, частота коммутации 3...20 кГц (220.1 Кб), 15.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 695 		Дата публикации: 15.02.2012 13:40
Дата редактирования: 15.02.2012 13:42

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники